1) inelastic spectrum
非线性反应谱
1.
It is demonstrated that the given method avoids the time history analysis procedure for each modal,and non-linearity can be accounted for by the introduction of inelastic spectrum,thus the accuracy is increased and applied range is extended for MPA.
方法将能力谱方法以及非线性反应谱引入到模态Pushover分析中,通过评估各阶模态的性能点,按一定规则组合后可以得到结构的总反应。
2) inelastic displacement response spectra
非线性位移反应谱
3) Nonlinear reaction
非线性反应
1.
The static elastoplastic analysis method has become a popular tool to evaluate the nonlinear reaction of the building structure under the seismic action in recent years because of its simple and useable characteristics.
静力弹塑性分析方法由于其简明实用的特点,已经成为近年来评估地震作用下建筑结构非线性反应的普遍方法。
4) nonlinear response
非线性反应
1.
Based on finite element method(FEM), a new spatial numerical model for nonlinear responses of reinforced concrete(RC) frame structures under 3-dimensional earthquake is proposed: The 3D FEM model for RC frame strucutres is composed of bar elements which represent beams and columns, and lumped mass is concentrated at the node of bar elements.
基于有限单元法，提出了一个适用于地震作用下钢筋混凝土框架结构空间非线性反应分析的分析模型：采用杆件为基本单元，将体系的质量集中于各个杆件的交点处，建立框架结构三维杆系有限元分析模型；杆件采用三段变刚度模型，由两端弹塑性杆段和中间弹性杆段组成，可以考虑随着内力的变化，杆件沿长度方向上的刚度变化与分布情况；在弹塑性杆段内，借鉴多弹簧模型的思想，将截面划分为若干钢筋弹簧和混凝土弹簧，引入任意加载路径的单轴混凝土弹簧和钢筋弹簧力。
5) inelastic response spectra
非弹性反应谱
1.
Study on the attenuation of inelastic response spectra;
非弹性反应谱衰减规律研究
6) inelastic response spectrum
非弹性反应谱
1.
In this paper,some problems of calculating the inelastic response spectrum are discussed(the form of equation of motion,the selection of spectrum parameters,the method for dealing with the critical points on restoring force models and the technique for time.
最后联系计算工作和计算结果,对非弹性反应谱计算中的其它有关事项做了补充讨论和说明。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条