1) body-doping
体相掺杂
2) surface doping
表相掺杂
3) doped phase
掺杂相
4) gas-doping
气相掺杂
1.
With the help of IR and X-ray,the influence of gas-doping on PPP structure was discussed.
采用AlCl_3作为掺杂剂对聚对苯撑进行气相掺杂,考查了掺杂时间、温度、暴空时间对其电导率的影响。
2.
1Te wafers by In as gas-doping source under Cd/Zn equilibrium partial pressures is explored,and annealing on In-doped as-grown Cd 0.
1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 。
5) doping in liquid phase
液相掺杂
1.
The experimental results show that Li Mn doping in liquid phase can raise the PTC effect and the withstand voltage of the material; Si Al doping in liquid phase can decrease the resistivity of the material at room temperature and increase the withstand voltage; Y Sb doping in liquid phase can decrease the resistivity at room temperature but the PTC effect of the material is somewhat .
研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。
补充资料：气相掺杂
气相掺杂
diping in vapor phase growth
q ix一ang ehanza气相掺杂(doping in vapor phase growth) 一种半导体材料捧杂方法。半导体电学性质对几乎所有杂质都非常敏感，因此掺杂浓度的控制是非常重要的。在气相外延中要掺入的掺杂剂通常以化合物形式按一定量加入到气态反应混合物中，可使外延膜获得合适的电学性能。在气相外延中这称为有意掺杂。由于大多数外延生长都需要高温，而且反应物气体或载气对反应器材质及衬底支托材料有腐蚀作用，从而在反应气氛中引入不可控杂质，再掺入到外延膜中。即便是有意掺杂，在一次实验后，沉积在系统内暴露部件上的掺杂剂在下次实验中还会蒸发出来进入气相，也变成不可控掺杂。在异质外延时衬底可能与气态反应物相互作用，把它自身组分释放到气相中，以杂质形式再掺入到外延膜内，即使在同质外延中，衬底内的掺杂剂在加工时也会扩散进入外延膜中或蒸发后进入外延膜中产生自掺杂。 在气相外延中因为存在着多种杂质来源，最大限度地降低不可控杂质的引入和自掺杂，并控晌有意识掺杂的杂质量，是提高外延质量极为重要的问题，这就需要根据所生长材料的种类选择加热方式、系统内材质、反应气体及载气等。 (余怀之)
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参考词条