1) dopant gas
掺杂气体
3) dopant gas
掺杂剂气体
4) gas-doping
气相掺杂
1.
With the help of IR and X-ray,the influence of gas-doping on PPP structure was discussed.
采用AlCl_3作为掺杂剂对聚对苯撑进行气相掺杂,考查了掺杂时间、温度、暴空时间对其电导率的影响。
2.
1Te wafers by In as gas-doping source under Cd/Zn equilibrium partial pressures is explored,and annealing on In-doped as-grown Cd 0.
1 Te晶片 ,采用在 Cd/ Zn气氛下 ,以 In作为气相掺杂源进行热处理 ;而对于低阻In- Cd0 。
5) NH3 doping
氨气掺杂
补充资料：掺杂气体
分子式：
CAS号：
性质：在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造pn结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用气体掺杂源称掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周，在晶片表面沉积上化合物掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。
CAS号：
性质：在半导体器件和集成电路制造中，将某种或某些杂质掺入半导体材料内，以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，用来制造pn结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用气体掺杂源称掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气)在源柜中混合，混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周，在晶片表面沉积上化合物掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条