1) full etching
全刻蚀
1.
The contact bulges under the bridge are achieved by the full etching and partial etching of the polyimide sacrificial layer.
在工艺上,特别采用了对聚酰亚胺牺牲层进行全刻蚀和半刻蚀的改进加工流程来实现桥背面的接触点。
2) holograph-ion beametching
全息-离子束刻蚀
3) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
4) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
蚀刻
1.
Preparation of metal nanowire arrays with controllable length using a simple etching method;
简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列
2.
Effects on Elaborate Etching of Printed Circuit Board;
印刷线路板精细蚀刻的影响因素
3.
Electrochemistry Etching of Brass Superficial Pattern;
黄铜表面图案的电化学蚀刻
5) Etch
[英][etʃ] [美][ɛtʃ]
蚀刻
1.
A clinical study of tooth hard-tissue etched with pulsed Nd:YAG laser;
脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙齿硬组织的临床研究
2.
Quality Control of Etch Produce in VFD Film Plant;
VFD薄膜基板蚀刻工序的质量控制
3.
The surface of epoxy resin-carbon fiber composite is etched by CrO3-H2SO4 solution,and the morphology of the surface of the composite etched is observed by means of SEM.
简介了碳纤维复合材料(CFRP)材料表面金属化的工艺过程,采用CrO3-H2SO4溶液对CFRP进行蚀刻处理,通过扫描电镜观测经蚀刻处理后的树脂表面的微观形貌,测试了镀层附着力,分析了蚀刻程度与镀层附着力之间的关系。
6) etch
[英][etʃ] [美][ɛtʃ]
刻蚀
1.
Etching of Sapphire with Inductively Coupled Plasma of Cl_2/BCl_3;
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究
2.
Study of Under Bump Metal and Etch Technology of MCM;
MCM多层金属化及刻蚀技术研究
3.
The Study of FSG Etching in No-stop-layer Dual Damascene Structure;
无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术的研究
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条