1) PLT
掺镧钛酸铅
1.
Ferroelectric lanthanum-doped lead titanate (PLT) thin films have been fabricatedon Si(100)substrates by RF magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜。
2.
1))TiO_3,PLT10],were grown by RF magnetron sputtering,on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates under the same growth conditions,respectively.
采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
3.
1))TiO_3,PLT10]ferroelectric thin films were grown on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates by RF magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
2) PLZT
掺镧锆钛酸铅
1.
After being prolyzed and sintered, The PLZT ceramic fibers with a diameter of 25μwere obtained.
以乙酸铅、乙酸镧、乙酸氧锆和钛酸丁酯为原料,用溶胶-凝胶法制备了掺镧锆钛酸铅(PLZT)凝胶纤维。
3) lanthanum-modified lead zirconate titanate(PLZT)
掺镧锆钛酸铅(PLZT)
4) lead lanthanum zirconate titanate
掺镧锆钛酸铅
1.
Based on the optical characteristics of lead lanthanum zirconate titanate(PLZT) electro-optic ceramic,an optical phased-array beam deflector with up-down electrode structure′s transverse electro-optic effect was proposed.
基于掺镧锆钛酸铅(PLZT)电光陶瓷材料的光学特性,提出了一种具有上下电极结构的光学相控阵高速光束扫描器。
5) ferroelectric film capacitor
掺镧钛酸铅薄膜
6) lanthanum-doped lead zirconate-lead titanate
掺镧锆酸铅—钛酸铅
补充资料：锆钛酸镧铅铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
CAS号：
性质：锆钛酸镧铅Pb(1-x)LaxZrTiO3固溶体为主晶相的透明铁电陶瓷。其中Zr/Ti摩尔比约为0.65/0.35，x=0.02～0.12。主要原料为四氧化三铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛。可采用固相法合成。也可采用化学共沉法制取(制品为粉料，有助提高透明度)。该陶瓷通常采用热压烧结工艺(压力为15～40MPa，温度为1100～1250℃)，保持10～30h，可获得几乎全透明铁电陶瓷。外加电场可引起极化状态变化或相变，并引起光学性质变化(如双折射率，散射，表面变形及静电现象等)。主要可用作光开关(如核热闪光护目镜及立体观察镜)，图像存储器，显示器及感光显像管(器)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条