1) GaN micro-ribbons
GaN微米带
1.
Hexagonal GaN micro-ribbons were synthesized through nitriding Ga2O3 films under flowing ammonia.
用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析。
2) GaN nanostrips
GAN纳米带
3) GaN nanorods
GaN纳米棒
1.
GaN nanorods were successfully synthesized through the reaction of Ga2O3 gel with NH3 at 1 000℃ by a simple and efficient sol-gel process.
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。
2.
GaN nanorods were grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)with Ni(NO3)2 as the catalyst precursor and trimethyl gallium and high purity blue ammonia as the Ga and N sources,respectively,on Si(111)substrates.
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。
4) GaN nanowires
GaN纳米线
1.
Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga_2O_3/Co films on Si substrates;
氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线
2.
Synthesis of GaN nanowires through ammoniating Ga_2O_3/Nb thin films;
氨化Ga_2O_3/Nb薄膜制备GaN纳米线
3.
Synthesis of Mg-doped GaN nanowires by Au catalysis on Si substrates
Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线
5) GaN nanowire
GaN纳米线
1.
Under a non-space confinement condition,GaN nanowires with diameters of about 10-50nm were synthesized on LaAlO 3 substrates by using a simple gas reaction method.
用简单化学反应的方法 ,采用非空间限制的条件 ,成功地在LaAlO3 衬底上制备了GaN纳米线。
6) GaN nanotubes
GaN纳米管
1.
Synthesis of GaN nanotubes through nitriding ZnO/Ga_2O_3 film;
氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条