1) GaN nanopowders
GaN纳米粉体
1.
The phase constitution,micrograph morphology and luminescent properties of as-synthesized GaN nanopowders were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and photoluminescence(PL).
首次报道了以硝酸镓(Ga(NO3)3)为原料,采用有机沉淀法在碱性条件下制备出含Ga的前驱体,将该前驱体在950~1 050℃之间利用氨气(NH3)直接氮化合成了GaN纳米粉体,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)技术对所制备的GaN纳米粉体分别进行了物相组成、显微形貌和发光性能分析。
2) GaN nanorods
GaN纳米棒
1.
GaN nanorods were successfully synthesized through the reaction of Ga2O3 gel with NH3 at 1 000℃ by a simple and efficient sol-gel process.
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。
2.
GaN nanorods were grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)with Ni(NO3)2 as the catalyst precursor and trimethyl gallium and high purity blue ammonia as the Ga and N sources,respectively,on Si(111)substrates.
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。
3) GaN nanowires
GaN纳米线
1.
Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga_2O_3/Co films on Si substrates;
氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线
2.
Synthesis of GaN nanowires through ammoniating Ga_2O_3/Nb thin films;
氨化Ga_2O_3/Nb薄膜制备GaN纳米线
3.
Synthesis of Mg-doped GaN nanowires by Au catalysis on Si substrates
Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线
4) GaN nanowire
GaN纳米线
1.
Under a non-space confinement condition,GaN nanowires with diameters of about 10-50nm were synthesized on LaAlO 3 substrates by using a simple gas reaction method.
用简单化学反应的方法 ,采用非空间限制的条件 ,成功地在LaAlO3 衬底上制备了GaN纳米线。
5) GaN nanotubes
GaN纳米管
1.
Synthesis of GaN nanotubes through nitriding ZnO/Ga_2O_3 film;
氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管
6) GaN nanostrips
GAN纳米带
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条