1) boron doped a-Si resistor
掺硼非晶硅电阻
2) born-doped a-Si:H films
掺硼非晶硅薄膜
3) boron-doped a-Si:H
掺硼非晶氢化硅
4) boron-doped amorphous silicon
硼掺杂非晶硅
5) Au-doped silicon single crystal thermistors
掺金硅单晶热敏电阻器
6) Co-Fe-Si-B amorphous wire
钴-铁-硅-硼非晶丝
补充资料：非晶硅太阳能电池材料
分子式：
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
CAS号：
性质： 原子排列短程有序而长程无序的硅材料。只有能隙中定域密度小于1016～1017eV的非晶硅才可作太阳能电池。具有较高的光吸收系数，但光电性有退化现象。用于制作毫瓦级、非阳光直接曝晒的场合，如手表、计算器等的电池。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条