1) metal-gate CMOS technology
金属栅CMOS工艺
1.
Optimization of design with TCAD approach for metal-gate CMOS technology and circuit;
利用TCAD方法优化设计金属栅CMOS工艺及电路
2) metal-gate CMOS
金属栅CMOS
3) metal technology
金属工艺
1.
This paper discusses the difference between metal technology course teaching in physics depart-ment and the teaching in engineering school and summarizes several measures of how to offer and teach met-al technology course in physis department.
论述了《金属工艺》课与工科院校《金属工艺》课的不同，对物理专业开设《金属工艺》课程所采取的一些措施作一总结。
4) CMOS
CMOS工艺
1.
10 Gb/s 0.18μm CMOS4∶1 Multiplexer;
10 Gb/s 0.18μm CMOS工艺复接器设计
2.
6μm CMOS technology.
采用CSMC0·6μmCMOS工艺设计实现了低压、低功耗的多级运算跨导放大器。
3.
The present status of power amplifier in CMOS process is discussed,and its potential applications in RFID technology are summarized in the paper.
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
5) CMOS technology
CMOS工艺
1.
Low phase noise LC VCO design in CMOS technology;
CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计(英文)
2.
18 μm CMOS technology.
18μm CMOS工艺实现的2。
3.
6μm CMOS technology.
6μm CMOS工艺设计了一种用于光纤通信的跨阻前置放大器。
6) CMOS process
CMOS工艺
1.
Design of folded-cascode operational amplifier with 0.6μm CMOS process;
0.6μm CMOS工艺折叠共源共栅运算放大器设计
2.
Design of on-chip transmission line in CMOS process;
CMOS工艺片上传输线研究
3.
Property of polyimide capacitive type humidity sensor prepared by CMOS process
CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能
补充资料：电解金属锰生产工艺
电解金属锰生产工艺：电解金属锰是锰的湿法冶金产品，在国内多年的生产实践中，一般采用“浸出——净化——电解”的生产工艺。主要是采用碳酸锰粉与无机酸反应，制得锰盐溶液，加铵盐作缓冲剂，用加氧化剂氧化中和的方法除铁，加硫化剂除重金属，经过“沉降——过滤——深度净化——过滤”得出纯净的硫酸锰溶液，加入添加剂后，作为电解液进入电解槽电解，生产出金属锰。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条