1) nonlinear tree
非线性树形分布
1.
The threat assessment model for SAM to penetration plane is established based on the multi-floor gray theory by using gray system theory combining with the application of the weight distribution based on nonlinear tree.
从研究航空兵对地空导弹突防作战背景出发,建立了地空导弹对突防飞机的威胁评估指标体系,并运用灰色系统理论,结合非线性树形分布权值分配法的应用,构建了基于多层次灰色理论的地空导弹对突防飞机的威胁评估模型,最后通过实例,对模型的有效性进行了检验。
2) case-weights perturbation
单纯形分布非线性模型
3) nonlinear distribution
非线性分布
1.
Depended on the failure character of cone penetration,and a available simplified estimating method is introduced,then,the disadvantageous effect on the code formula of cone penetration resistance of a spread foundation influenced by nonlinear distribution of stress is estimated quantitatively.
依据理论研究、模型试验和工程实测成果 ,对扩展基础基底压力的非线性分布进行研究 ;从扩展基础冲切破坏的实际性状出发 ,在定性分析基底压力非线性分布对扩展基础抗冲切承载力不利影响的基础上 ,采用简化的计算方法进行定量估算 ,估算值与 Press模型试验实测值很接近 ,进而对规范冲切承载力公式在设计中的合理应用提出建
4) tree form distribution
树形分布
1.
In this paper,a tree form distribution based network partition method for voltage control is studied under hierarchical and distributed VAR/voltage optimization control mode.
为此对电力系统无功/电压分级分布式优化控制模式下的电力系统分区方法进行了研究,提出了一种基于树形分布的电压控制分区方法。
5) nonlinear concentration distribution
非线性浓度分布
1.
The nonlinear concentration distribution of the gradient zone in a round tilt-wall small solar pond was studied theoretically in this paper.
对圆形斜壁小型太阳池梯度区非线性浓度分布问题进行理论分析,与实验对比,两者吻合较好。
6) nonlinear temperature distribution
非线性温度分布
1.
An analytical solution of thermal stress in concrete pavement subjected to a nonlinear temperature distribution is presented.
模型预测结果表明:在非线性温度分布下,温度应力沿板厚也是非线性分布的,温度变化产生的最大温度应力可能出现在路面板厚度方向的任何高度上,这依赖于沿板厚方向的温度分布特征。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条