1) nonlinear distributed shear foce
非线性分布剪力
2) nonlinear distributed force
非线性分布压力
1.
On the basis of the mechanical principle of the stress function and its derivative on the boundry of elastomer and the method of Heaviside function, the stress calculation of the function of nonlinear distributed force on the undersurface of nonsymmetric wedge block has been obtained.
用应力函数及其导数在弹性体边界上的力学意义和海维赛（Ｈｅａｖｉｓｉｄｅ）函数的方法，对非对称楔形体在楔面下部承受非线性分布压力作用的问题进行了应力计算，给出了应力一般解并进行了讨论，其结果具有理论和实际意义。
3) nonlinear pressure distribution
非线性压力分布
4) nonlinear distribution
非线性分布
1.
Depended on the failure character of cone penetration,and a available simplified estimating method is introduced,then,the disadvantageous effect on the code formula of cone penetration resistance of a spread foundation influenced by nonlinear distribution of stress is estimated quantitatively.
依据理论研究、模型试验和工程实测成果 ,对扩展基础基底压力的非线性分布进行研究 ;从扩展基础冲切破坏的实际性状出发 ,在定性分析基底压力非线性分布对扩展基础抗冲切承载力不利影响的基础上 ,采用简化的计算方法进行定量估算 ,估算值与 Press模型试验实测值很接近 ,进而对规范冲切承载力公式在设计中的合理应用提出建
5) shear force distribution
剪力分布
1.
The shear force distribution on the top of piles was studied.
结果显示,数值模拟计算结果更加符合实际情况;海水冲刷深度对基础水平承载力影响很大,而不同的碰撞方向对基础水平承载力影响较小;在船撞力作用下,桩顶剪力分布不均,但不同工况下分布规律一致,在角点处桩顶剪力达到极大值。
6) nonlinear concentration distribution
非线性浓度分布
1.
The nonlinear concentration distribution of the gradient zone in a round tilt-wall small solar pond was studied theoretically in this paper.
对圆形斜壁小型太阳池梯度区非线性浓度分布问题进行理论分析,与实验对比,两者吻合较好。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条