1) power LED
功率型LED
1.
Impact of the chip bonding layer material on the thermal resistance of power LED
芯片键合层材料对功率型LED热阻的影响
2.
The paper introduces the key technology in three periods of power LED industry chain of our country.
本文介绍了我国功率型LED产业链三个阶段的关键技术。
3.
In the aspect of thermal dispersion for power LEDs,flip-chip configuration has potential predominance.
与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势。
2) high power LED
功率型LED
1.
The junction temperature is a key factor to influence its optical,color properties and lifetime,In this paper,several important problems,especially such as the emitted optical power was ignored unreasonably and the difficulties of the temperature controlling in the measurement of thermal resistance for the high power LED were reviewed and discussed.
功率型LED的结温制约着其光、电、色性质和寿命,而结温通常是通过热阻测量间接得到。
2.
On the base of comparison with traditional packaging materials,the present technical research on heat-release substrates of high power LEDs is analyzed.
在与传统LED散热基板散热性能比较的基础上,分析了国内外功率型LED散热基板的研究现状,介绍了金属芯印刷电路板、陶瓷基板、金属绝缘基板和金属基复合基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了功率型LED基板材料的发展趋势及需要解决的问题。
3) High power LED Packaging
功率型-LED封装
4) power White-LED
功率型白光LED
1.
Some conclusions has been draw basing on discussing the optical parameters for power White-LED,such as luminous flux,correlation color temperature,chromaticity and so on,when the device was applied different current.
LED是一种电致发光器件,电流与器件出光有直接的关系,该文讨论了在不同电流下,功率型白光LED发光的色温、光通量、色坐标等光学参数的变化,并分别得到相应的结论。
5) high power LED
高功率LED
1.
A novel measuring method of thermal resistance for high power LED;
一种高功率LED热阻的测试方法
2.
The drivers of high power LED used series are studed.
着重研究了任意个(1-20个)高功率LED串联联接的恒流源驱动器。
3.
Preliminary experimental tests on a close-looped micro jet cooling system for high power LEDs were conducted.
对一种高功率LED散热用封闭微喷射流系统开展了初步的实验测试,测试结果和简单的数学分析表明实验用微喷系统有较大的改进空间。
6) high-power LEDs
大功率LED
1.
With the invention of high-power LEDs,the requirement for drive current has increased significantly,thereby increasing power dissipation.
保持LED结温在允许的范围内,是大功率LED芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素,尤其是LED器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题。
2.
The junction temperature of high-power LEDs is accurately measured based on forward-voltage method,the precision with ±0.
介绍了基于正向电压法原理自行研制的大功率LED结温测试系统,结温定量测量精度可达±0。
3.
Meanwhile, one type of thermal resistance model of high-power LEDs has also been set up.
针对大功率LED应用,建立了大功率LED的热阻模型,分析了环境温度、器件的最大允许结温、热阻以及输入电流之间的关系,提出了一种保证器件结温低于容许最大结温的工作电流的确定方法,并给出了一个应用本方法绘制某大功率LED工作电流与环境温度的关系曲线的实例。
补充资料：双极型功率晶体管
最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。 其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。
结构和工作原理 图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区,4为发射结，5为集电结。图3示其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）, 其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下,Ic与Vce之间的关系。从图4中看出,特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区,器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
进展和应用 20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路,工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时,GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管,GTR的开关频率较低（采用复合结构时,频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
自80年代中期以来,GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
结构和工作原理 图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区,4为发射结，5为集电结。图3示其工作原理（对于PNP型器件,则需要将两组电源极性反接）, 其中基极加0.6V左右的正向偏压,集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下,Ic与Vce之间的关系。从图4中看出,特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区,器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
进展和应用 20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中最大的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路,工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时,GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管,GTR的开关频率较低（采用复合结构时,频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
自80年代中期以来,GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条