1) A new type of HWE apparatus
新热壁外延生长装置
3) Hot Wall Epitaxy
热壁外延
1.
The CdTe/CdZnTe/Si thin film (Φ30mm) was grown with Hot Wall Epitaxy (HWE) technique.
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。
2.
This paper reports the growth of GaAs layer on Si substrate by hot wall epitaxy (HWE).
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。
3.
GaAs polycrytalline thin films with good performance were prepared on conducting glass and Si by hot wall epitaxy (HWE) , which were suitable for solar cell .
本文介绍以Si和SnO_2／Glass两种材料为衬底，采用热壁外延的方法得到结构良好的，适合作GaAs太阳电池的GaAs多晶薄膜。
4) epitaxial growth
外延生长
1.
Scanning tunneling microscopy studies on the epitaxial growth of organic semiconductors;
有机半导体外延生长的扫描隧道显微镜研究
2.
Research on the epitaxial growth technique of 3C SiC on silicon substrates;
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术
3.
sing a rotating boat system for liquid phase epitaxial growth the GaP epitaxy has been prepared.
采用旋转舟液相外延生长系统获得ＧａＰ外延片，由它制得ＣａＰ红色发光二极管，其外量子效率可高达１０％（在电流密度为１。
5) epitaxy growth
外延生长
1.
The authors analyze the process characteristics of epitaxy growth for GaN single crystal films using ECR MOCVD devices, and the main factors which affect the GaN crystalline quality during the epitaxy growth.
分析了在 ECR-MOCVD装置上外延生长 Ga N单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响 Ga N结晶质量的主要因素 。
6) epitaxy
[英]['epi,tæksi] [美]['ɛpɪ,tæksɪ]
外延生长
1.
(2) Using ion-beam assisted chemical vapor deposition, a 100% pure single crystal c-BN film on diamond substrate was grown by epitaxy.
0eV的c-BN薄膜 ;(2 )用离子束辅助的化学气相沉积法(CVD) ,在金刚石上外延生长出立方含量达 10 0 %的单晶c -BN薄膜 ;(3)用微波电子回旋共振CVD法 (MW -ECR-CVD)在金刚石上外延生长出高纯c-BN薄膜 。
补充资料：壁生长效应
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：在生物反应器中，微生物细胞喜欢附在壁面上繁殖，在表面上形成薄层，称为壁生长效应。单位反应器体积壁面积较大的反应器，往往细胞增长速度也较大，故这种效应对生物反应器的设计有较大的影响。但壁效应也带来了反应器清洗、操作等困难问题。
分子量：
CAS号：
性质：在生物反应器中，微生物细胞喜欢附在壁面上繁殖，在表面上形成薄层，称为壁生长效应。单位反应器体积壁面积较大的反应器，往往细胞增长速度也较大，故这种效应对生物反应器的设计有较大的影响。但壁效应也带来了反应器清洗、操作等困难问题。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条