2) GaN based quantum dots
GaN基量子点
4) GaN/AlN quantum dot
GaN/AlN量子点结构
1.
The calculation of electronic structure in GaN/AlN quantum dots with finite element method;
有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构
2.
An effective method is introduced to investigate the strained fields and piezoelectric effect in GaN/AlN quantum dots (QDs) with hexagonal truncated pyramid shape.
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度。
5) GaN/Al_xGa_(1-x)N quantum dots
GaN/AlxGa1-xN量子点
6) In_xGa_(1-x)N/GaN quantum dots
InxGa1-xN/GaN量子点
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条