1) High-k HfON dielectric film
高kHfON介电薄膜
2) high-k thin films
高介电薄膜
3) High dielectric constant thin film
高介电常数薄膜
1.
High dielectric constant thin films have been used in high-density dynamic random access memories widely.
高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中。
4) High-k dielectric films
高k电介质薄膜
1.
research of High-k dielectric films for MOS gate dielectric applications;b.
本文第一部分以溅射沉积SiO_xN_y、TiO_2等高k电介质薄膜为研究主题,研究了溅射工艺对薄膜成分、结构的影响;并以MOS电容栅介质为应用背景,对薄膜电学性能进行了讨论。
5) Bi_2Ti_2O_7
介电薄膜
1.
Bi_2Ti_2O_7 thin films have reletive high dielectric constant.
Bi_2Ti_2O_7介电薄膜具有较高的介电常数,可用于制备新型绝缘栅场效应器件。
6) gray dielectric thin film
灰介电薄膜
1.
The concept of effective conductivity of gray dielectric thin film is introduced.
用Boltzmann传输方程建立灰介电薄膜声子辐射传热方程,提出灰体介电薄膜的当量导热系数的概念,指出Fourier定律只适用于声学极厚区域,给出了用Fourier定律进行热流密度计算的误差。
补充资料：钽基介电薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
CAS号：
性质：一种以氧化钽为主成分的介电薄膜。有纯氧化钽膜、掺杂钽基薄膜(掺氮、铝或硅)和钽基复合薄膜(如氧化钽-氧化硅膜、氧化钽-氧化铅膜等)三种。采用阳极氧化法、反应溅射法、等离子阳极氧化法等制取。氧化钽是一种优良的介电薄膜，介电常数为25。掺杂膜具有高的介电性能。复合膜具有高的阴极击穿电压。用于制作用在集成电路中的薄膜容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条