1) dead zone nonlinearity
死区非线性
1.
Two-step method for identifying physical parameters of systems with dead zone nonlinearity;
死区非线性系统物理参数的两步辨识法
2.
The control system with dead zone nonlinearity is transformed into linear system by designing nonlinear pre-compensator.
针对工业控制系统中广泛存在的死区非线性特性,通过引入死区非线性预补偿器,使系统转化为广义线性系统,完全消除了死区非线性特性对系统的影响,然后针对此广义线性系统进行预测函数控制算法的设计。
2) Nonlinear dead-zone
非线性死区
3) nonlinear area
非线性区
1.
It is the first time that precise theoretical deduction of integrating circuit when the integrated operational amplifier is working in the nonlinear area is given.
这里首次对运算放大器工作在非线性区时的积分电路给出了精确的理论推导,得出当输入信号出现反向脉冲时,由于电容的充、放电可能导致积分电路输出电压变化延迟的结论,并由仿真结果证明了理论分析的正确性。
4) sector nonlinear
扇区非线性
1.
The synchronization control for a class of uncertain master-slave chaotic systems with sector nonlinear inputs containing deadzones is analyzed and a sliding mode controller proved theoretically is designed,where the controlled master-slave chaotic systems can be quickly synchronized beyond the impact from the uncertainties,sector nonlinearities and deadzones in the inputs.
分析了一类控制输入具有扇区非线性和死区的不确定主从混沌系统的同步控制问题,设计了一个滑模变结构控制器,并从理论上证明了该控制器能够快速、有效地实现此类主从混沌系统的同步化,并且不受输入非线性、死区以及外部噪声等因素的影响,具有很强的鲁棒性。
2.
We design a controller for uncertain Lorenz systemes with multiple inputs containing sector nonlinearity and deadzones,and demonstrate its effectiveness theoretically.
设计了具有扇区非线性和死区的多输入不确定Lorenz系统的滑模变结构控制器,从理论上证明了该控制器的有效性。
5) nonlinear region
非线性区域
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条