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1)  Si crystal
Si晶体
1.
To get the screw dislocation motion characteristic in the growing process of lattice mismatched heterostructures,a pair of screw dislocations is introduced in a full periodic Si crystal via dislocation dipole modeling.
在保持Si晶体模型完全周期性的边界条件下,采用位错偶极子模型在其内部建立一对螺位错。
2)  crystal silicon
晶体Si
1.
A Calculation of energy band of crystal silicon using density functional theory and first-principles
晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算
3)  Si BJT
Si双极晶体管(BJT)
4)  Si-based photonic crystals
Si基光子晶体
1.
We emphaticaly introduce some processes of Si-based photonic crystals,which are fine dry etching,silica sphere template,photoelectrochemical etching of macroporous silicon,photonic polymerization and silicon nanoclusters embedded at the Si core,etc.
本文简要介绍了Si基光子晶体的主要特点;着重介绍了Si基光子晶体的几种主要制备方法,如精细干式蚀刻法、胶质晶体模板法、宏观多孔Si的电化学腐蚀、多光子聚合法和核壳结构纳米晶粒镶嵌法等;概要介绍了Si基光子晶体在Si基发光器件和Si基光波导器件中的应用。
5)  Si nanotransistor
Si纳米晶体管
1.
As a representative,Intel Corporation is studying the sub-50-nm Si nanotransistors,and when they developed THz CMOS planar transistors,they overcame a lot of difficulties such as gate leakage current ,off-state leakage,resistance enhanced and higher operation voltage.
目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。
6)  amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条