1) colossal magnetoresistance
超巨磁电阻
1.
New applications of colossal magnetoresistance thin film materials in photodetection;
超巨磁电阻薄膜在光探测上的新应用
2.
0 wt%Ag,which is a typical colossal magnetoresistance material,has been grown in situ on (100) LaAlO 3 substrates using a pulsed laser deposition technique.
用脉冲激光溅射 (PLD)法在LaAlO3( 1 0 0 )单晶衬底上制备了掺 4 0wt%Ag的超巨磁电阻材料La0 67Ca0 33MnO3薄膜。
3.
Colossal magnetoresistance material of La-Ca-Mn-O is formed by partially doping with divalent alkali metal like Ca, Sr and Ba into 3d transitional metal manganese oxide RE-Mn-O(RE, trivalent rare earth metal, like La, Pr, Sm, Nb and Gd).
La-Ca-Mn-0类超巨磁电阻材料是在含稀土(RE=La，Pr，Sm，Nb，Gd)的3d过渡族金属Mn氧化物RE-Mn-0中，通过二价碱土金属离子AE2+(AE=Ca，Sr，Ba)部分替代三价稀土离子RE3+而得到的。
2) colossal magnetoresistance
超巨磁阻
3) giant magnetoresistance
巨磁电阻
1.
Electrodeposition and giant magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20)/Cu nanometer multilayers;
电沉积Ni_(80)Fe_(20)/Cu纳米多层膜及其巨磁电阻效应
2.
Spin-polarized transport and giant magnetoresistance——a basic physical feature of spintronics;
自旋输运和巨磁电阻——自旋电子学的物理基础之一
3.
Influence of Ag covering layer on giant magnetoresistance of spin valve sandwich structure;
银覆盖层对自旋阀三明治结构巨磁电阻的影响
4) giant magnetoresistance(GMR)
巨磁电阻
1.
A brief review of giant magnetoresistance(GMR)effect is presented.
评介了巨磁电阻（ＧｉａｎｔＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）效应的实验观测、理论分析及其在磁存储等技术中奇迹般的应用，着重阐述了电子自旋化输运的概念。
5) colossal magnetoresistance
巨磁电阻
1.
18)MnO_3 colossal magnetoresistance bulk materials.
18)MnO_3巨磁电阻块材的内耗及弹性模量。
6) GMR
巨磁电阻
1.
Research Fabrication of Spinning Valve Multilayer Membrane GMR;
自旋阀多层膜巨磁电阻的研制
2.
On-line study of GMR in Au /Fe magnetic multi-layers during the ion beam mixing;
Au/Fe磁性多层膜在离子束混合过程中的巨磁电阻效应在线研究
3.
A STUDY OF GMR AND FMR ON Co/Cu MULTILAYERS FABRICATED UNDER DIFFERENT CONDITIONS;
不同制备条件下的Co/Cu多层膜的巨磁电阻及铁磁共振研究
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条