1) Giant Magnetorisistive Membrane
巨磁电阻薄膜
2) La Ca Mn O thin films
La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜
4) metal film magnetoresistance
金属薄膜磁电阻
1.
A metal film magnetoresistance transducer was used to detect the distributing magnetic field of the drum surface and the signal was transformed to an oscil.
采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场,信号通过电路放大、整形后接入示波器和计数器,结果显示输出信号波形良好,计数完整。
5) thin-film magnetoresistor
薄膜磁控电阻器
6) giant magnetoresistance
巨磁电阻
1.
Electrodeposition and giant magnetoresistance of Ni_(80)Fe_(20)/Cu nanometer multilayers;
电沉积Ni_(80)Fe_(20)/Cu纳米多层膜及其巨磁电阻效应
2.
Spin-polarized transport and giant magnetoresistance——a basic physical feature of spintronics;
自旋输运和巨磁电阻——自旋电子学的物理基础之一
3.
Influence of Ag covering layer on giant magnetoresistance of spin valve sandwich structure;
银覆盖层对自旋阀三明治结构巨磁电阻的影响
补充资料：薄膜电阻材料
薄膜电阻材料
materials for film resistance
bOOmO dlo门Zu CO一{一00薄膜电阻材料(materials for film resistanee) 用于制造薄膜电阻的材料。电子技术中广泛应用薄膜电阻材料来制造分立电阻元件及集成电路中的电阻元件。有二类薄膜电阻材料，一类是碳膜，另一类是金属膜。早期大量使用碳膜电阻，但由于工艺上的原因，碳膜电阻的容许误差高达士10%以上，而且温度系数大，因此在要求高的场合普遍使用金属膜电阻。当金属的厚度小于电子在金属中的平均自由程时，电阻率急剧增加。利用这一效应可制成体积很小而阻值很高的金属膜电阻。其阻值误差可控制在士(2 .5~5)%内，而且电阻温度系数远小于碳膜电阻。金属膜电阻的时间稳定性较好，体积比相同功率的碳膜电阻小得多。薄膜电阻一般成膜于陶瓷或玻璃基体上。碳膜还可以成膜于绝缘纸板上。金属成膜可采用蒸镀法、阴极溅射法、还原法和氧化物烧结法。常用的金属膜材料有镍铬合金(Ni一Cr)、氮化担(TaN)、Cr一510、氧化锡(SnOZ)等。其中Cr一510用于制造zMn以上的高值电阻。金属膜电阻的温度系数大致是10一咭(1/℃)量级，有正温度系数和负温度系数二类。碳膜电阻具有负的温度系数，数值是10一3(1/℃)量级，其时间稳定性比金属膜电阻差得多。
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参考词条