1) HBE
势垒效应
1.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
2.
Moreover,small Ge fraction grading can t alleviate the HBE effectively,and Ge introduced into the collector can delay the HBE.
讨论了基区Ge分布、集电极电流密度对势垒高度的影响,分析了减弱势垒效应的方法。
2) Heterojunction barrier effects
异质结势垒效应
3) nuclear potential barrier channel effect
核势垒隧道效应
1.
In nuclear physics he proposed the well known “nuclear potential barrier channel effect” and the Gamow-Teller transition probability of beta decay.
在核物理学领域 ,他提出了著名的“核势垒隧道效应”和 β衰变的伽莫夫 -泰勒选择定则 。
4) DIBL effect
漏感应势垒降低效应
1.
The surface potential model in the deep submicrometer FD device is presented by introducting some new parameters to describe the DIBL effect.
通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 。
5) the modified potential barrier
有效势垒
6) equivalent barrier
等效势垒
1.
In this paper, the definition and property of equivalent barrier are given.
本文给出等效势垒的概念及性质，利用等效势垒的性质可以使量子隧穿中的 有关问题更容易解决。
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条