1) power-frequency
功率–频率
2) half-power frequency
半功率频率
3) power-frequency limitation
功率-频率限
4) RF-power
射频功率
1.
Fluorinated amorphous hydrogenated carbon(a-C∶F∶H) thin films were deposited by RF plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF_4 and CH_4 as source gases at different RF-power and deposition temperatures and annealed in N_2 atmosphere.
本文使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在不同射频功率和沉积温度下制备了掺氟氢化无定形碳(a-C∶F∶H)薄膜,并在N2气氛中进行了不同温度的退火处理。
2.
The influence of different RF-power on the crystal structures,surface morphologies and optical properties of ZnO thin films fabricatied on ITO(In_2O_3:Sn)substrates was investigated.
结果表明,随着射频功率的提高,沿(002)方向生长的ZnO薄膜的结晶度显著增强,薄膜的表面颗粒略有减小,表面粗糙度由13。
3.
Amorphous fluorinated carbon films were deposited by PECVD using CH 4 and CF 4 as source gases at different RF-power.
以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。
5) radio frequency power
射频功率
1.
Results show that the radio frequency power and the pressure in the reaction chamber are two main factors that affect the depositing rate distribution of PECVD and both are constrained by the linear relationship p = kW.
结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳。
6) RF power
射频功率
1.
Effect of RF power on the structure and properties of diamond-like carbon films;
射频功率对类金刚石薄膜结构和性能的影响
2.
Design of RF Power LDMOS Device;
射频功率LDMOS器件设计
3.
The influence of RF power and oxygen ratio on the grain size,the residual stress and optical properties was investigated by X-ray diffraction and transmission spectra.
通过XRD和透射光谱研究了射频功率和氧气比例对ZnO薄膜的晶粒尺度、应力状态和光学性能的影响。
补充资料：低功率激光频率转换材料
低功率激光频率转换材料
materials for low power laser frequency conversion
低功率激光频率转换材料materials for lowpower laser frequeney eonversion对半导体激光器进行直接频率转换，或对半导体泵浦的钦激光器进行频率转换的材料。这类激光源多为连续激光。其功率在几十毫瓦到瓦级，发散角约20。一300;用其泵浦的钦激光发散度较小，但仍比一般固体、气体激光差。随着半导体激光器功率、寿命、模式特性的不断提高，应用上述激光频率转换材料可制作小型、长寿命的可见光激光源，用于高密度光盘存储、彩色显示等领域。 性能要求低功率激光频率转换的技术关键是提高转换效率。通常转换效率达10%才有实用意义。为此，对材料性能要求有高二次非线性系数、相位匹配条件和透过波段。高二次非线性系数在低转换效率情况下，转换效率与二次非线性系数成正比，因而希望有大的二次非线性系数的材料。已发现的MMNONS(4一甲氧基3一甲基4H一硝基二苯乙烯)、mNA(亚硝基苯胺)和MNA(二甲基一4硝基苯胺)等有机材料具有很高二次非线性系数，但它们短波吸收边已接近500 nm。具有短吸收边，又有高二次非线性系数的有机材料正在探索中。无机材料锐酸钾(KN)、视酸钡钠(BNN)、磷酸钦氧钾(KTP)、担酸铿(LT)晶体和视酸锉(LN)晶体二次非线性系数较高，而其短波吸收边大都在400 nm，是目前有希望应用的低功率激光频率转换的材料。 相位匹配条件是获得低功率激光有效频率转换的必要条件。发散度大的激光源，临界角度匹配方法造成的失配太大。比较而言，非临界角度匹配可获得更好效果，是体块材料低功率激光频率转换的一种有效技术，但对材料要求较苛刻。在大非线性系数材料中，只有KN晶体能在较窄的温度范围(约半度)内，对特定波长(一860~)能实现半导体激光直接倍频。体块材料相位匹配的另一可行方法是用准相位匹配技术。它的效果可与非临界相位匹配相当，同时可利用材料中一些很大的、由角度或温度匹配无法利用的非线性系数分量。 此外，也可利用波导结构来实现相位匹配。它可以提高基频功率密度，利用大的二次非线性系数，获得长的非线性互作用长度，因而可望获得高的转换效率。波导结构实现相位匹配的一个方法是利用波导模式色散。它要求基频和倍频导模的有效折射率相等，但难以获得较大的交叠积分，因而效果不太理想。利用切伦可夫辐射方式实现波导模相位匹配较为简便，其交叠积分也较大。目前已开发出一种把波导结构与准相位匹配相结合的方法，对半导体激光倍频已经获得高达3%的转换效率。 对半导体激光泵浦的钦激光倍频，已发展了一种利用可控反馈的谐振腔式相位匹配方法。
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参考词条