1) interference lithography
干涉光刻
1.
The basic principle of multi-interference lithography processes designing and fabricating sub-wavelength grating microstructures is presented.
给出了用2θ夹角一次光刻、2θ夹角摆动δ角两次光刻和2θ夹角旋转β角两次光刻等干涉光刻工艺设计和构建可见光波段亚波长光栅微结构的基本原理。
2.
The fabrication methods of MPC include electron beam lithography with subsequent evaporation and lift-off, interference lithography with dry-etching technology etc.
制备金属光子晶体方法包括:电子束刻蚀结合后续剥离法、激光干涉光刻结合干刻蚀技术等。
3.
Waveguided grating structures were fabricated using interference lithography.
利用干涉光刻技术制备了波导耦合纳米光栅结构,系统研究了其波导共振模式的角分辨调谐特性及其对光栅参数、入射光偏振特性的依赖关系,并作了相应的理论模拟。
2) Interferometric lithography
干涉光刻
1.
Study of interferometric lithography without masks;
无掩模激光干涉光刻技术研究
3) Laser interferometric lithography
激光干涉光刻
1.
Laser interferometric lithography with high resolution,large fi.
激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。
4) Imaging interferometric lithography
成像干涉光刻
1.
Imaging interferometric lithography and its spatial frequency analysis;
成像干涉光刻技术及其频域分析
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条