1)  MMP
磁性微粉
1.
The last layer,made up of magnetic micropowder(MMP)ballmilled from Fe,Co,etc,has significant absorbing effects.
面层由二氧化钛材料组成,易于实现与空气波阻抗匹配,且起到一保护屏作用;底层为强磁损耗体,由铁、钴等原料,经球磨而制得的磁性微粉,形成对电磁波强大的损耗;中间层为过渡层,构成从面层、中间层、底层的阻抗渐变结构。
2)  MMP
基质金属蛋白酶
1.
The study of the role of MMP-2, TIMP-2 and growth factors in lens- induced myopia;
透镜诱导豚鼠近视眼巩膜基质中基质金属蛋白酶2及其组织抑制剂和生长因子的变化
2.
Study on the expression of MT1MMPmRNA、MT5MMPmRNA and TIMP2mRNA in cystisis glandularis and urinary malignant tumor(bladder transitional cell carcinoma);
人腺性膀胱炎及膀胱移行细胞癌中膜型基质金属蛋白酶1、5mRNA及基质金属蛋白酶抑制剂2mRNA的表达及其意义
3.
Expression of MMP9, MMPE2 mRNA and TIMP2 mRNA in bladder transitional cell carcinoma and its clinical significance;
基质金属蛋白酶(MMP)9、MMP2 mRNA及基质金属蛋白酶抑制剂2 mRNA在人膀胱移行细胞癌中的表达及意义
3)  MMP
MMP
1.
The function of MMP-2 and TIMP-2 in the invasion and metastasis of osteosarcoma;
MMP-2、TIMP-2在骨肉瘤侵袭转移中的作用
2.
The Study of the MMP and the Proportion os Cell Apoptesis after Swimming Exercise;
游泳训练对MMP和细胞凋亡率影响的实验研究
3.
The expression of PPARγ and MMP-2 in the placenta tissue from first trimester pregnancy and its clinical Significance;
早孕胎盘组织中PPARγ和MMP-2的表达及意义
4)  MMP
线粒体膜电位
1.
FCM were used to study he effects of the change of cell cycle, the expression of Bcl-2, Fas and the levels of mitochondrial membrane potential (MMP) on SGC-7901 cells treated with different doses of Yanshu.
方法:采用MTT法检测岩舒注射液对SGC-7901细胞的生长抑制作用;Annexin V-FITC+PI双参双数检测细胞凋亡;流式细胞仪测定经不同浓度岩舒注射液处理后SGC-7901细胞周期、Fas、Bcl-2蛋白表达及其线粒体膜电位。
2.
Mitochondrial membrane potential(MMP) of PC12 cells was detected by Rh123 staining.
方法:4-甲基偶氮唑蓝(MTT)检测PC12细胞活性;流式细胞仪(FCM)测定PC12细胞凋亡百分率;Hoechst33342染色观察细胞凋亡;罗丹明123(Rh123)染色检测细胞线粒体膜电位(MMP)。
3.
The relationship between enhanced anoxic tolerance induced by hypoxic preconditioning and mitochondrial membrane potential (MMP) was studied in cultured hypothalamic cells.
本文用新生大鼠下丘脑培养细胞 ,研究了低氧预处理对下丘脑细胞缺氧耐受性的影响及其与线粒体膜电位的关系。
5)  MMP-Ⅰ
基质金属蛋白酶Ⅰ
6)  MMP
金属蛋白酶(MMP)
参考词条
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料


磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film

在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│41000 ││ │ (ZMHz) │ (20MHz) │└────────┴──────┴────────┘·3.磁光材料呻〕 当前所用的磁光材料是利用磁光效应制作的磁性材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。