补充资料：电容器级钽粉制取

电容器级钽粉制取
preparation of capacitorgrade tantalum powder

d lonrongq一jr tanfen zhrqu电容器级担粉制取(preparation。f Capaei-torgrade tantalum powder)以纯钮化合物或纯金属钮为原料，生产电容器用钮粉的过程。担电器的电容量大，体积小，可靠性高，工作温度范围宽(213一398K)和使用寿命长，主要用于航天、航空和电子I几业等部门。 工艺电容器级担粉的制取方法主要有钠热还原法生产担粉、氢化法制取担粉和碳热还原法生产钮粉(见碳热还原法生产锐)。此外，还有熔盆电解法生产担粉。由于熔盐电解法生产的担粉质量差，不能满足电容器的要求，现已被钠热还原法所取代。三种主要生产电容器级担粉的工艺原则流程如图。 电容器级担粉按制成电容器后的工作电压和电容量分为低压高比电容、中压中比电容和高压低比电容系列。工业上用氢化法制取高压电容器级担粉，用钠热还原法制取中、低压电容器级钮粉，用碳热还原法制取低、中、高压电容器级担粉。三种方法制得的担粉都需经过破碎、酸洗、分级、粒度调配、真空热处理(见担粉真空热处理)及产品调制，最后还需经过各项性能指标的检测。 担粉性能电容器级担粉的杂质含量、粒形、粒氢化法钠热还原法碳热还原法井 中了正，子，比电 容乍I」书于系歹』 电容器级担粉制取的原则工艺流程径、密度、成形性和流动性等均会影响担粉的电性能，为此必须达到规定标准。担粉中金属和气体杂质含量高，制成电容器的漏电流大，击穿电压低，使电容器的可靠性和使用寿命降低，甚至达到报废的程度。这是因为杂质在钮阳极氧化膜中形成疵点，导致氧化担薄膜不连续、不稳定的缘故。为此，必须使用高纯原材料，并尽量避免带人杂质，尤其是要降低担粉中钨、铝、妮、钦、错等高熔点金属杂质以及氧、氮、碳等气体杂质。用粒形复杂钮粉制成的电容器的比电容高。钠热还原法生产的钮粉粒形复杂，呈海绵树枝状结构，比表面积大，制成电容器的比电容高。氢化法制取的担粉呈块状，粒形简单，制成担阳极时能形成耐高压的连续稳定的较厚的氧化担介电薄膜。电容器级担粉的粒度不能相差太悬殊，否则制成的担阳极性能不一致，比电容低。因此钮粉需先分级，然后按比电容的要求调配。-般钮粉粒径为1~6如m。钠还原法生产的担粉的松装密度小(1000一l000okg/m3)，比表面积大，比电容高袒粉成形性的好坏直接影响烧结钮阳极的孔隙结构、有效比表面积和被膜的质量，亦即影响到电容器的比电容和漏电流。

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