1) electron spin relaxation and momentum relaxtion
电子自旋弛豫和动量弛豫
2) electron spin relaxation
电子自旋弛豫
1.
It is found that spin relaxation lifetime of electrons lengthens with increasing excitation energy density for both samples, and the annealed (Ga,Mn)As has shorter carrier recombination and electron spin relaxation lifetimes as well as larger Kerr rotation angle than the as-grown (Ga,Mn).
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理。
3) spin relaxation
自旋弛豫
1.
A spin relaxation lifetime of 490±70 ps was obtained at room temperature.
获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理。
2.
Under non-resonant excitation, the spin relaxation lifetimes of 3.
实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3。
3.
In this paper,a brief review on spin relaxation in semiconductors is given.
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。
4) momentum relaration
动量弛豫
6) spin-magnon relaxation
自旋磁子弛豫
补充资料：俞作豫(1901～1930)
龙州起义领导人。广西北流县人。1917年入广州燕塘讲武堂，结业后到桂军历任排长、连长、营长。1926年在国民革命军第7军第2旅任团长,参加了北伐战争,在汀泗桥、贺胜桥和德安等战役中建有战功。1927年10月加入中国共产党。同年12月参加广州起义。不久返回家乡从事秘密工作，1928年任中共北流县委书记。1929年初，被派到桂军俞作柏、李明瑞部进行革命活动，为中共在广西掌握武装、发动起义积极创造条件。同年秋在南宁任广西警备第 5大队大队长。1930年2月1日参与领导龙州起义,建立中国工农红军第8军，任军长。3月,国民党军攻占龙州后，斗争失败，他潜往香港寻找中共组织，在深圳被捕。同年9月6日，于广州红花岗英勇就义。
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