1) spin-magnon relaxation
自旋磁子弛豫
2) electron spin relaxation
电子自旋弛豫
1.
It is found that spin relaxation lifetime of electrons lengthens with increasing excitation energy density for both samples, and the annealed (Ga,Mn)As has shorter carrier recombination and electron spin relaxation lifetimes as well as larger Kerr rotation angle than the as-grown (Ga,Mn).
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理。
3) spin relaxation
自旋弛豫
1.
A spin relaxation lifetime of 490±70 ps was obtained at room temperature.
获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理。
2.
Under non-resonant excitation, the spin relaxation lifetimes of 3.
实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3。
3.
In this paper,a brief review on spin relaxation in semiconductors is given.
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。
4) ~1H spin-spin relaxation
质子自旋自旋弛豫
5) electron spin relaxation and momentum relaxtion
电子自旋弛豫和动量弛豫
6) proton spin-lattice relaxation rate
质子自旋-晶格弛豫速率
补充资料：自旋
| 自旋 spin 粒子内禀角动量或内禀角动量量子数的简称。每个粒子都具有特有的自旋。粒子自旋角动量遵从角动量的普遍规律，  ，J为自旋角动量量子数，J＝0，1／2，1，3／ 2 ，…… 。自旋为半奇 数 的粒子称为费米子，服 从费米-狄拉克统计；自旋为0或整数的粒子称为玻色子，服从玻色-爱因斯坦统计 。复合粒子的自旋是其内部各组成部分之间相对轨道角动量和各组成部分自旋的矢量和，即按量子力学中角动量相加法则求和。已发现的粒子中，自旋为整数的，最大自旋为4；自旋为半奇数的，最大自旋为3／2。 |
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参考词条