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1)  DCP-AES
直流等离子体(DCP)
2)  direct current plasma
直流等离子体
1.
A new hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) with direct current plasma chamber was designed.
通过在传统热丝化学气相沉积装置中引入直流等离子体,设计了直流等离子体一热丝化学气相沉积金刚石薄膜的设备,设备中既包括相互独立的灯丝电压和施加的偏压。
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3)  DC plasma CVD
直流等离子体CVD
4)  helium direct current plasma
氦直流等离子体
5)  direct current plasma
直流等离子体[区]
6)  Direct current plasma jet deposition method
直流等离子体射流法
补充资料：2,4-DCP
分子式：C6H4Cl2O
分子量：163.00
CAS号：120-83-2

性质：密度1.383。熔点41-44°C。沸点209-210°C。闪点113°C。水溶性4.5 g/L (20°C)。

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