1) DC Arc Plasma Evaporation
直流电弧等离子体蒸发
1.
The nanometer tin powders were prepared by DC arc plasma evaporation method using a self-designed and fabricated apparatus.
采用高纯锡,通过自行设计的直流电弧等离子体蒸发设备制备了纯净的纳米锡粉。
2) arc plasma evaporation
电弧等离子体蒸发
1.
Si nanofiber was prepared by using arc plasma evaporation method.
本文利用电弧等离子体蒸发制备了纳米Si纤维通过沉积温度场的调节，确定了纤维的最佳沉积温度约600℃同时表征了纤维的生长过程，在一定的温度下，Si团聚体颗粒间的“颈连接”及颗粒表面的非晶层是导致团聚体自扩散和表面扩散一维生长的直接条
3) DC arc plasma
直流电弧等离子体
1.
Preparation of bismuth nanoparticles by DC arc plasma method
直流电弧等离子体法制备铋纳米粉体
2.
Chain shaped, well dispersal and nano-scale Ag-Cu-In-Sn powders were successfully prepared by DC arc plasma method.
利用直流电弧等离子体法成功制备了分散性较好的纳米链状Ag-Cu-In-Sn合金粉末。
3.
The pure nickel nanopowders were prepared by DC arc plasma evaporation method using self-designed and fabricated experimental apparatus.
采用自行研制的试验装置,用直流电弧等离子体蒸发法制备了高纯度的纳米镍粉。
4) DC arc plasma jet
直流电弧等离子体喷射
1.
Application of DC arc plasma jet in the commercialization of CVD diamond films;
直流电弧等离子体喷射在金刚石膜制备和产业化中的应用
2.
Numerical model for large area diamond film deposition by DC Arc Plasma Jet CVD method is proposed.
建立了直流电弧等离子体喷射ＣＶＤ大面积金刚石沉积数学模型。
3.
But during the process of producing diamond film by chemical vapor deposited technology, such as DC arc plasma jet, the problem of film cracking caused by excessive residual stresses has not been well solved yet.
本文以直流电弧等离子体喷射法制备自支撑金刚石厚膜为研究对象,以等离子体炬内外复杂的电、磁、热、力多场耦合变量以及金刚石膜热-力耦合条件下的应力为研究目标,对等离子体的流动和传热以及自支撑金刚石厚膜在制备中各个阶段的应力进行数值模拟,并揭示大尺寸金刚石厚膜发生开裂破坏的原因及其影响因素。
5) DC arc plasma
直流电弧等离子体法
1.
Nanometer Ni particles have been obtained by DC arc plasma in methane gas and in a mixture of H_2 and Ar gas atmosphere respectively.
用直流电弧等离子体法分别在甲烷和(H2+Ar)气氛下制备了纳米镍粒子,利用XPS 和TEM等分析手段对两种纳米镍粒子的表层特征和形貌进行了分析,发现甲烷气氛下制备的纳米镍粒子表面包覆了多层碳膜,H2 +Ar 气氛下制备的纳米镍粒子由于要进行钝化处理表面包覆有氧化物膜(Ni2O3)。
2.
had been obtained by DC arc plasma in 100Torr methane(CH4) gas and a 760Torr mixture of H2 and Ar atmosphere respectively.
本文采用直流电弧等离子体法分别在760Torr(H_2+Ar)和100Torr甲烷气氛下制备了Fe、Co、Ni、Fe—Ni、Fe—Co、Co(C)、Ni(C)等多种磁性纳米粒子。
6) DC are plasma jet CVD
直流电弧等离子体CVD
补充资料：等离子电弧重熔
等离子电弧重熔
plasma arc remelting
熔(E SR)优点的等离子熔炼技术. 1963年美国联合碳化物(Union Carbide)公司下 属的林德(Linde)公司研制了两台实验型PAR炉，分 别装有1支和2支等离子体发生琴(即等离子枪)，均 采用立式水冷结晶器。同年，捷克斯洛伐克也用类似炉 子进行了试验研究。从70年代开始前苏联和日本等国 进行了大量的研究工作并将其应用于工业生产。乌克 兰巴顿电焊研究所在70年代就研制了PAR的系列设 备。最大炉子的功率为18ookw，采用6支等离子枪， 可生产直径达65omm的5t钢锭。日本大同特殊钢公 司于1972年开始进行PAR技术的试验，先后建成 25kg和50kg的试验炉并称之为PPC炉，1982年建成 了2t的工业炉。 设备主要包括1个或多个等离子枪、电极及其 升降装置、合金及其他炉料的加料装置、水冷铜结晶 器、抽锭装置、供水和供气系统、电源及供电回路等。图 1是两种典型的PAR炉的设备示意图。根据等离子气 体种类、电源和枪的种类，结晶器结构和安装方式的不 同具有不同的设备类型。图2归纳了PAR在设备及工 作条件的各种不同方式。等离子枪一般为转移弧型，可 采用直流、交流或在交流电上附加直流操作。由于枪内 阴极是钨及其合金制作，故通常是非自耗式的。中空阴 极自耗式枪和等离子电子束枪是两种特殊情况。大多 数PAR炉采用立式结晶器。也有的采用卧式结晶器或 带由旋转辊组成的卧式结晶器，其优点是可降低对炉 料的形状和化学成分的均匀性要求。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条