1) Al-single crystal
铝单晶
1.
Push-pull fatigue deformation of [110] and [100] Al-single crystals was performed at room temperature at strain amplitudes in the range (1 to 6) × 10￣(-4).
系统地研究了［１１０］与［１００］两种特殊晶轴取向的高纯铝单晶在１×１０（－４）－６×１０（－４）室温拉压疲劳应变振幅条件下的应力σｍ、内耗Ｑ（－１）和加载最大处超声衰减△αｔ，的循环响应行为，对疲劳不同阶段的位错组态作了详细的ＴＥＭ观察。
2) single crystal aluminum
单晶铝
1.
Application of EBSD and TEM techniques in characterization of deformation microstructure of single crystal aluminum;
背散射电子衍射与透射电镜在单晶铝形变组织研究中的应用
2.
In this paer, nanoindentation experiment of single crystal aluminum is realized by nano-in-denter.
使用纳米硬度计对单晶铝进行了纳米压痕试验,利用原子力显微镜对压痕形貌进行扫描并计算硬度值,重点观察和分析了纳米级条件下单晶铝的硬度性质,结果表明,当压痕深度小于2000 nm时, 单晶铝纳米硬度存在尺寸效应现象;从材料性质的角度分析了纳米硬度尺寸效应现象;探讨了纳米硬度和传统硬度本质上的区别,指出其根本原因在于不同尺度下人们对材料性质的关注点不同。
3.
Single crystal aluminum(SCA) nanoindentation process is simulated by molecular dynamics method, the elastic-plastic deformation mechanism of SCA under the indenter is studied on atomic scale,and simulation results and experimental results are compared.
采用分子动力学方法对单晶铝纳米压痕过程进行了模拟。
4) single crystal alumina
单晶氧化铝;氧化铝单晶
6) single,crystal alumina
单晶氧化铝
补充资料：磷化铝镓单晶
分子式：Ga1-xAlxP；0≤x≤1
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条