1) Energy deposition kernel
能量沉积核函数
2) tensor product weight function
张量积核函数
1.
To improve the accuracy, the tensor product weight function which has rectangular influence domain is picked out.
将一种新的数值方法无网格伽辽金法(EFGM)用于刚塑性可压缩材料稳态轧制过程的模拟,由于形函数不满足插值条件,采用罚函数法满足本质边界条件;为提高精度,选用矩形影响域的张量积核函数;利用有限元背景网格作为积分单元,对求解域内和边界上采用不同的高斯积分方案·数值计算结果与刚塑性有限元的计算结果和文献中的实验数据吻合较好,说明无网格伽辽金法用于刚塑性可压缩材料轧制过程的可行性和正确性
2.
The penalty function is adopted to impose the essential boundary condition, the tensor product weight function with a rectangular influence domain is chosen, and the finite element background cell is considered as the integration unit.
将无网格再生核质点法(RKPM)用于刚塑性可压缩材料轧制过程的模拟,采用罚函数满足本质边界条件,选用矩形影响域的张量积核函数,利用有限元网格作为积分单元,对求解域内和边界上采用不同的高斯积分方案。
3) the energy deposition coefficients
能量沉积系数
1.
The authors calculated the energy deposition coefficients of 4He + on C and Cu under the normally incident condition by using the improving bipartition model which accounts for the angular correlation of energy losses partly.
利用部分地考虑了能量损失的角关联的改进离子输运双群模型，计算了４Ｈｅ＋离子垂直入射到Ｃ和Ｃｕ上的能量沉积系数，改进了早期的离子输运双群模
4) Energy deposition
能量沉积
1.
Energy deposition and radiation effect in MOS structure irradiated with electron beams;
电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应
2.
Calculation of energy deposition in electronically irradiated SiO_2;
电子辐照SiO_2能量沉积计算方法研究
3.
A calculation and comparison of energy deposition irradiation-induced by different sources in silicon;
不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较
5) energy deposit
能量沉积
1.
Geant4 toolkit for Monte Carlo simulation is used in high energy heavy ion energy deposition simulation.
对铁离子在水中产生的能量沉积和铁离子与水介质发生核反应后产生的次级碎片的能量沉积进行了模拟研究,得到了通过核反应过程产生次级粒子所导致的剂量贡献。
6) deposited energy
能量沉积
1.
Through simulating electrons scattering progress and deposited energy distribution,the authors found that the low-energy electron beam is the evident mode of exposure, because low-energy electrons lost a large part of energies in PMMA.
通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率。
2.
The process of deposited energy in sensitive volumes in a static random access memory (SRAM) chip induced by 10—20MeV neutrons is simulated using the Monte Carlo method.
利用蒙特卡罗(MonteCarlo)方法,对10—20MeV中子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转进行了模拟,着重对中子在SRAM灵敏区引起的电离能量沉积进行了计算,并对中子引起单粒子翻转过程相关物理量进行了计算。
3.
It can provide statistic information about the deposited energy for understanding the random process of the single event upset.
基于Monte Carlo计算模拟,对10-20MeV中子引起存储器单粒子翻转能量沉积进行了统计分析,为了解单粒子翻转随机过程提供能量沉积统计信息。
补充资料：能量沉积
分子式：
CAS号：
性质：是一种能量给出的过程，在这个过程中射线把自己的能量传递给一个特定体积的物质；能量给予的方式是通过射线本身或伴生的次级粒子使物质分子电离或激发。
CAS号：
性质：是一种能量给出的过程，在这个过程中射线把自己的能量传递给一个特定体积的物质；能量给予的方式是通过射线本身或伴生的次级粒子使物质分子电离或激发。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条