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1)  rapid thermal annealing(RTA)
快速热退火(RTA)
2)  rapid thermal annealing (RTA)
快速退火(RTA)
3)  rapid thermal annealing
快速热退火
1.
Temperature calculation of ion implanted silicon during rapid thermal annealing using iodine-tungsten lamp;
离子注入硅的碘钨灯快速热退火温度计算
2.
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film;
快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响
3.
nc-Si/SiO_2 multilayers can be obtained by rapid thermal annealing (RTA) of a-Si:H/SiO_2 multilayers.
用快速热退火对a_Si:H/SiO2 多层膜进行处理 ,制备nc_Si/SiO2 多层膜 ,研究了这种方法对a_Si:H/SiO2 多层膜发光特性的影响 。
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4)  RTA [英][,ɑ: ti: 'eɪ]  [美]['ɑr 'ti 'e]
快速热退火
1.
The properties of the thin films were researched after applied rapid thermal annealing(RTA) at the tempera.
通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强度,并研究了快速热退火(RTA)对薄膜性能的影响。
2.
Compared with other methods,such as normal dry O 2 oxidation,H 2 O 2 oxidation and different annealing processing,the nitrided H 2 O 2 grown oxide,combined with silicide and RTA process,is considered to be the optimum process for radiation hard technology.
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研
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5)  rapid photo-thermal annealing
快速光热退火
6)  Rapid photo-thermal annealing (RPTA)
快速光热退火(RPTA)
补充资料：软化退火(见低温退火)


软化退火(见低温退火)
soft-annealing

rU0nhUO tUihUO软化退火(soft一annealing)见低温退火。
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