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1)  Si/Ge superlattices
Ge/Si超晶格
1.
Si/Ge superlattices were grown at low temperature with modified Stranski-Krastanov (SK) MBE method.
低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
2)  e)_5/(Si)_5 superlattice
(Ge)5/(Si)5超晶格
3)  Si/SiO 2 superlattices
Si/SiO_2超晶格
例句>>
4)  Si/SiNx superlattice
Si/SiNx超晶格
1.
In order to study preparation process recipes and nonlinear optical properties of Si/SiNx superla-ttice,Si/SiNx superlattice has been fabricated by RF magnetron sputtering technique and thermal annealing.
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了Si/SiNx超晶格材料。
5)  a-Si/a-SiNx superlattices
a-Si/a-SiNx超晶格
6)  nc-Si/SiN_x superlattice thin film
nc-Si/SiN_x超晶格薄膜
补充资料：A和B交替生长的超晶格结构


A和B交替生长的超晶格结构


　　A和B交替生长的超晶格结构层厚：黑2帆A 白30A B中周科学院十导体研究所供稿
　　
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