1) barrier width
势垒宽度
1.
The results indicate that carrier recombines and causes the luminescence in two organic layers by traversing their interface,the influence of barrier width of transport layer is greater than barrier height of transport layer on recombination efficiency of the devices.
结果表明 :双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层 (输运层 )中的复合发光 ,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大 ,且阴极区 (阳极区 )的势垒宽度双势垒高度对其影响更大 ;同时也可看到电场对复合区域具有调制作
2) barrier height
势垒高度
1.
Average-bond-energy method in Schottky barrier height calculation;
Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法
2.
Based on the measurement of the relation between the leakage current I and absolute temperature T in commercial ZnO varistor ceramic samples,the barrier height(activation energy)was estimated in the presence of the expression of field enhanced thermal emission current and was found to be lower than barrier height on the balanced state.
通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度(活化能),发现它低于平衡状态时的势垒高度。
3.
In order to solve this critical problem,this paper concen- trates on the effects of surface states and interfacial layer on Schottky barrier height(SBH)by means of experiment and theory analysis.
针对硅材料的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,简称SBD)的击穿电压普遍很低,严重影响其实际应用的问题,采用实验与理论分析相结合的方式,着重于表面态、界面层对势垒高度的影响进行研究。
3) barrier thickness
势垒厚度
4) Barrier heights
效势垒高度
5) the width of potential well
势阱宽度
6) equivalent barrier height
等效势垒高度
1.
The conduction process and the equivalent barrier height in ZnO-Bi_2O_3 based varistor ceramics;
ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条