1) SiC reinforcement
SiC增强相
1.
What is more, the phenomenon of the reorientation of SiC reinforcements in the first cutting zone was supported by the experimental results.
介绍了切削SiC非连续增强铝基复合材料时第一切削变形区的材料变形情况,推导了SiC增强相的转角公式,并用试验结果验证了SiC增强相的重定向现象。
2) reinforcing SiC particle
SiC增强颗粒
1.
The influences of reinforcing SiC particles of different shapes on the mechanical behavior of T6-treated aluminum-matrix composites were investigated systematically introducing the finite element analysis(FEA) with both models of planestrain unit cell and axisymmetric unit cell.
采用有限元分析的方法,用平面应变和轴对称两种单胞模型,分析了形状不同的SiC增强颗粒对经T6处理的铝基复合材料力学行为的影响。
4) Al_3Ti-TiB_2-SiC hybric reinforcements
Al3Ti-TiB2-SiC增强
5) continuous fiber reinforced SiC
连续纤维增强SiC
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条