1) SiCp reinforcing agent
SiCp增强相
2) SiCp Reinforcement
SiCp增强体
3) Al-based SiC_p enforced composite material
SiCp增强铝基复合材料
4) SiC particle-reinforced aluminum composites
SiCp增强Al基复合材料
5) reinforced phase
增强相
1.
The results showed that:the values measured specific resistance of Cu/Al2O3 and Cu/WC DSC were higher than their values calculated,the electric conductivity of both DSC decrease with the content increasing of reinforced phase and were similar when volume content of reinforced phase of both DSC were the same.
同一增强相含量越高,弥散强化铜导电性越低。
2.
Ceramic-reinforced phases formed alternately and mainly takes the shape of stick-strip or granular under SEM,which distribute continuously or dispersedly in NiAl matrix.
分析了反应发生过程以及增强相通过阻碍位错对基体的强化作用。
6) reinforcement
[英][,ri:ɪn'fɔ:smənt] [美]['riɪn'fɔrsmənt]
增强相
1.
Evaluation of Strength Grading the Board of Green Covering of Bamboo as the Reinforcement of Wind Turbine Blades Composite Materials
竹青板作为风电叶片复合材料增强相的性能评价
2.
It was shown that the ceramic composites were mixed homogeneously as well as the bonding interfaces of composites between the matrix and reinforcement were enhanced by this process, which improves the performance of the composites.
本文介绍了液相包覆技术制备涂层的一些基本方法及其在材料制备中的应用 ,表明该工艺使陶瓷材料获得了均匀混合 ,同时改善了复合材料基体相与增强相之间的界面状态 ,使复合材料性能得到提
3.
For diffusion wleding of aluminum matrix composite Al 2O 3p/6061 Al, the micro bonding behavior of weld zone between reinforcement and matrix (R M ), reinforcement and reinforcement (R R )was investigated.
研究表明 ,扩散焊接温度对接合区的微连接行为有显著影响 ,当焊接温度低于铝基复合材料固相线温度时 ,增强相—基体、增强相—增强相之间微连接属弱连接 ;当焊接温度介于该种材料液、固两相温度区间时 ,接头区域出现液态基体金属 ,增强相—基体之间可以实现较好结合 ,同时液态金属对增强相—增强相接触部位进行渗透 ,使增强相—增强相接触转化为增强相—基体—增强相结合 ,在此基础上发现在铝基复合材料液、固两相温度区间有“临界温度”存在 ,为成功实现该种材料扩散连接奠定理论基
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条