1) titanium nitride/O'-sialon
氮化钛/O'-sialon
2) titanium nitride/O'sialon material
氮化钛/O'-硅铝氧氮化物材料
3) O'-SiAION/SiC
O'-SiAlON/SiC
4) O'-Sialon-ZrO_(2)
O-'Sialon-ZrO2
1.
Phase Composition and Microstructure of O′-Sialon-ZrO_(2) Composite during the Process of Reaction Sintering;
研究了CaO稳定的氧化锆、锆英石、Si3N4及活性-αA l2O3体系反应烧结制备O-′Sialon-ZrO2复相材料过程中物相组成的变化及显微结构特征。
5) TiO_2/O'-Sialon
TiO2/O-'Sialon
1.
TiO_2/O′-Sialon diffusion couple was designed and prepared with reactive sintered O′-Sialon and rutile TiO_2 as raw materials.
以反应烧结的O-′Sialon和金红石型TiO2为研究对象,设计制备了TiO2/O-′Sialon扩散偶,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及电子探针微区分析(EPMA)等方法,对扩散偶的扩散界面及垂直于界面的断面进行了物相分析、形貌观察及元素面分布分析,并在此基础上探讨了TiO2/O-′Sialon界面反应过程。
6) O'-SiAlON whiskers
O'-SiAlON晶须
1.
Alumina-carbon refractories strengthened by in-situ synthetic O'-SiAlON whiskers;
原位生成O’-SiAlON晶须增强铝碳耐火材料
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条