1) (Ti,Nb)N
氮化钛铌
3) NbN
氮化铌
1.
Filtered vacuum arc plasma deposition apparatus is used to deposit NbN thin films on Si substrate at different temperatures ranging from room temperature(RT) to about 500 ℃.
利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 。
2.
Secondly according to the diagnostic results, taking the 45# steel as the substitute and NbN thin film was deposited on steel and Si (100) substrates by MW-ECR plasma assisted DC reactive unbalance magnetron sputtering.
为了解决核材料铀的腐蚀磨损导致的失效问题，本论文首先用朗缪尔探针对新颖的双谐振腔微波ECR多功能等离子体源离子注入(PSII)系统进行了等离子体诊断，然后根据诊断结果，以45#钢作为替代品，在其表面上以及硅片(100)上采用微波ECR等离子体增强直流反应非平衡磁控溅射的方法制备了氮化铌(NbN)薄膜，同时用发射探针(OES)对实验条件下空间的等离子体成分进行了诊断，最后采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子探针(EPMA)以及、显微硬度、摩擦磨损和阳极极化等方法对制备的薄膜进行了薄膜结构、表面形貌、硬度、磨损和腐蚀特性等方面的表征和分析。
4) niobium nitride (NbN)
氮化铌NbN
5) columbium nitride
一氮化铌
6) niobium nitride
氮化铌
1.
Then it was nitrided by NH 3 at 600～800℃ for 3～8 h and obtained nanosized niobium nitride powder.
以沉淀法制备的高比表面积无定形Nb2 O5 为原料,采用氨解法在600~800℃、氮化3~8 h制备了氮化铌纳米粉体。
补充资料：氮化铌
分子式：
CAS号：
性质：典型的B-1型化合物。氯化钠晶体结构。超导临界温度为17.3K。上临界磁场为43T。临界电流密度Jc，(4.2K，20T)高达2×106A/cm2。热稳定性和化学稳定性高，抗中子辐照，优良的超导薄膜材料。在氩气和氮气混合气体中采用溅射法制取。用于制作高度稳定的超导量子仪器器件。
CAS号：
性质：典型的B-1型化合物。氯化钠晶体结构。超导临界温度为17.3K。上临界磁场为43T。临界电流密度Jc，(4.2K，20T)高达2×106A/cm2。热稳定性和化学稳定性高，抗中子辐照，优良的超导薄膜材料。在氩气和氮气混合气体中采用溅射法制取。用于制作高度稳定的超导量子仪器器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条