1) TiN phase
氮化钛相
2) Multi-Phase Titanium Nitride Inclusions
复相氮化钛夹杂
3) silicon nitride-titanium nitride composite
氮化硅-氮化钛复相陶瓷
4) Titanium carbonitride
碳(氮)化钛
5) TiN
[英][tɪn] [美][tɪn]
氮化钛
1.
Study on Super-fine Particle of TiN Added into Molten Pure Iron;
高温纯铁熔体中外加氮化钛超细颗粒的研究
2.
Preparation Methods of TiN Hard Films;
氮化钛硬质薄膜的制备方法
3.
Study on Corrosion Resistance Improvement of TiN Ceramic Process of Carbon Steel Surface;
碳钢表面氮化钛陶瓷化的耐腐蚀性能研究
6) titanium nitride
氮化钛
1.
Study on preparation and reaction mechanism of titanium nitride powder;
氮化钛粉体制备及反应机理的研究
2.
Study on Process of Titanium Nitride Deposition onto Gears and Effects on Load-Carrying Ability of Gears;
氮化钛涂层的齿面制备工艺及其对齿轮承载能力的影响
3.
Titanium nitride films were grown by unbalanced magnetron sputtering on substrates of Si(100) and Ti alloy at different partial pressure ratios of N_2 and Ar and at different target substrate separations.
本文利用非平衡磁控溅射技术,通过改变薄膜沉积时氮气和氩气分压比(PN/PAr)和靶基距,在Si(100)和钛合金(Ti6A14V)基体上制备了氮化钛薄膜。
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条