1) ALN Namo-meter powder
ALN纳米粉
1.
ALN Namo-meter powder was fabricated with AL2(SO4)3and C12H22O11,and the phase of the powder was analyzed using X-ray diffractometer in order to determine the phase of the powder.
利用硫酸铝和蔗糖合成ALN纳米粉,通过X射线衍射仪对实验产物进行物相分析,以确定产物的物相组成。
2) nanocrystalline Al AlN
Al-AlN纳米粉
3) nano-AlN
纳米AlN
1.
Effects of nano-AlN on structure and performance of low temperature vitrified bond diamond tools
纳米AlN对低温陶瓷结合剂金刚石磨具结构与性能的影响
2.
Effect of nano-AlN on performances of low temperature vitrified bond
纳米AlN对低温陶瓷结合剂性能的影响
3.
Inorganic nano-AlN powder doubly modified by KH570 and polystyrene was prepared.
采用硅烷偶联剂KH570和苯乙烯对无机纳米AlN粉末表面进行双重改性,制备了表面有机改性纳米AlN粉末。
4) AlN nanocrystals
AlN纳米晶
1.
After sintered at 700℃ for 48h, pure phase cubic AlN nanocrystals were produced.
70 0℃退火 4 8h后 ,得到了纯的立方相AlN纳米晶。
5) AlN nanowires
AlN纳米线
1.
Preparetion of monocrystal AlN nanowires by direct nitridation method;
直接氮化法制备单晶AlN纳米线
2.
Using the direct current arc discharge plasma method,single-crystal wurtzite AlN nanowires are synthesised by direct nitriding metal Al without catalyst and templet.
在无催化剂和模板条件,利用直流电弧放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AlN纳米线。
6) nanometer thin AIN films
纳米AlN薄膜
补充资料：aluminium nitride material AlN
分子式：
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
CAS号：
性质： 该材料有陶瓷型和薄膜型两种。氮化铝热导率高、绝缘性能好，电阻率高达4×106Ω·cm。热膨胀系数小(2.65～3.80)×10-6K-1，化学性能稳定，在1000℃时才与空气发生氧化。在真空中可稳定到1500℃。致密型氮化铝是抗水的，几乎不与浓无机酸发生反应。密度为3.26g/cm3，熔点2400℃，弹性模量为300～310GPa，抗弯强度为280～350MPa，莫氏硬度为8。A1N陶瓷用粉末冶金法制得。氮化铝薄膜用反应溅射法制得。A1N陶瓷片用于大功率半导体集成电路和大功率的厚膜电路，A1N薄膜用于薄膜器件的介质和耐磨、耐热、散热好的材料表面镀层。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条