1) power electronic device
电力电子器件
1.
Introduction was made to the classification and development of power electronic device.
介绍了电力电子器件的分类和发展。
2.
Sic and GaN are the most prospective semiconductor materials used in power electronic devices.
与硅半导体电力电子器件相比,其优点是:标定阻断电压较高,功率损耗较低,工作温度较高,因此给这种器件增加了与硅器件竞争的活力。
3.
New power electronic devices,as IGCT,IGBT,CSTBT etc.
新的电力电子器件,如IGCT,IGBT,CSTBT等,不断涌现,它们在结构、性能及冷却技术上有大的提高。
2) power electronic devices
电力电子器件
1.
Application and protection of power electronic devices IGBT;
电力电子器件IGBT的应用与保护
2.
This article introduces the detailed sort of power electronic devices and pay much attention to introduce the election,protection and some notice.
本文介绍了电力电子器件的详细分类,并着重介绍了IGBT的选用以及保护应注意事项。
3.
After retrospecting to the development of power electronic devices and the advance of converters in city metro and LRT, the author holds that AC drive in rail vehicle shall be further developed and electric traction drive technology be adopted in railway locomotive and multiple units.
综述了城市地铁与轻轨车辆用电力电子器件的发展及伴随着由其构成的变流装置的进步与发展。
3) power electronics device
电力电子器件
1.
Application of power electronics device in electric welding machine;
电力电子器件在焊机电源中的应用(三)
2.
Application of power electronics device in electric welding machine(part2);
电力电子器件在焊机电源中的应用(二)
4) power electronic components
电力电子器件
1.
status quo and dynamic development of the mainstream power electronic components.
本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT、IGCT等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态。
2.
This paper reviews the development process of power electronic technology and components,and introduces the principle,status and dynamic development of the mainstream power electronic components.
简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT,IGCT,IPEM等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态,探讨了新型材料电力电子器件及其发展方向。
5) power devices
电力电子器件
1.
The characteristics of power devices have great influence on performance of electric vehicle (EV).
电力电子器件的特性对电动汽车的性能有很大的影响。
2.
The current state-of-the-art and the future potential of SiC power devices such as power Schottky-barrier diodes, pn junction diodes, power MOSFETs, BJT, GTO, GCT, power modules and so on, are reviewed in the viewpoint of advanced power electronic technology.
综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率消耗,使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥;文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。
6) electronic power device
电子电力器件
补充资料：电力电子器件
| 电力电子器件 power electronic devices 用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。又称功率电子器件。20世纪50年代，电力电子器件主要是汞弧闸流管和大功率电子管。60年代发展起来的晶闸管，因其工作可靠、寿命长、体积小、开关速度快，而在电力电子电路中得到广泛应用。70年代初期，已逐步取代了汞弧闸流管。80 年代，普通晶闸管的开关电流已达数千安，能承受的正、反向工作电压达数千伏。在此基础上，为适应电力电子技术发展的需要，又开发出门极可关断晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管等一系列派生器件，以及单极型 MOS 功率场效应晶体管、双极型功率晶体管、静电感应晶闸管、功能组合模块和功率集成电路等新型电力电子器件。 各种电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。功率二极管是二端（阴极和阳极）器件，其器件电流由伏安特性决定，除了改变加在二端间的电压外，无法控制其阳极电流，故称不可控器件。普通晶闸管是三端器件，其门极信号能控制元件的导通，但不能控制其关断，称半控型器件。可关断晶闸管、功率晶体管等器件，其门极信号既能控制器件的导通，又能控制其关断，称全控型器件。后两类器件控制灵活，电路简单，开关速度快，广泛应用于整流、逆变、斩波电路中，是电动机调速、发电机励磁、感应加热、电镀、电解电源、直接输电等电力电子装置中的核心部件。这些器件构成装置不仅体积小、工作可靠，而且节能效果十分明显（一般可节电10％～40％）。 单个电力电子器件能承受的正、反向电压是一定的，能通过的电流大小也是一定的。因此，由单个电力电子器件组成的电力电子装置容量受到限制。所以，在实用中多用几个电力电子器件串联或并联形成组件，其耐压和通流的能力可以成倍地提高，从而可极大地增加电力电子装置的容量。器件串联时，希望各元件能承受同样的正、反向电压；并联时则希望各元件能分担同样的电流。但由于器件的个异性，串、并联时 ， 各器件并不能完全均匀地分担电压和电流。所以，在电力电子器件串联时，要采取均压措施；在并联时，要采取均流措施。 电力电子器件工作时，会因功率损耗引起器件发热、升温。器件温度过高将缩短寿命，甚至烧毁，这是限制电力电子器件电流、电压容量的主要原因。为此，必须考虑器件的冷却问题。常用冷却方式有自冷式、风冷式、液冷式（包括油冷式、水冷式）和蒸发冷却式等。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条