1) Power device
电力器件
2) power electronics device
电力电子器件
1.
Application of power electronics device in electric welding machine;
电力电子器件在焊机电源中的应用(三)
2.
Application of power electronics device in electric welding machine(part2);
电力电子器件在焊机电源中的应用(二)
3) power electronic components
电力电子器件
1.
status quo and dynamic development of the mainstream power electronic components.
本文简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT、IGCT等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态。
2.
This paper reviews the development process of power electronic technology and components,and introduces the principle,status and dynamic development of the mainstream power electronic components.
简单回顾了电力电子技术及电力电子器件的发展过程,介绍了IGBT,IGCT,IPEM等主流现代电力电子器件的工作原理、现状和发展动态,探讨了新型材料电力电子器件及其发展方向。
4) power electronic device
电力电子器件
1.
Introduction was made to the classification and development of power electronic device.
介绍了电力电子器件的分类和发展。
2.
Sic and GaN are the most prospective semiconductor materials used in power electronic devices.
与硅半导体电力电子器件相比,其优点是:标定阻断电压较高,功率损耗较低,工作温度较高,因此给这种器件增加了与硅器件竞争的活力。
3.
New power electronic devices,as IGCT,IGBT,CSTBT etc.
新的电力电子器件,如IGCT,IGBT,CSTBT等,不断涌现,它们在结构、性能及冷却技术上有大的提高。
5) power electronic devices
电力电子器件
1.
Application and protection of power electronic devices IGBT;
电力电子器件IGBT的应用与保护
2.
This article introduces the detailed sort of power electronic devices and pay much attention to introduce the election,protection and some notice.
本文介绍了电力电子器件的详细分类,并着重介绍了IGBT的选用以及保护应注意事项。
3.
After retrospecting to the development of power electronic devices and the advance of converters in city metro and LRT, the author holds that AC drive in rail vehicle shall be further developed and electric traction drive technology be adopted in railway locomotive and multiple units.
综述了城市地铁与轻轨车辆用电力电子器件的发展及伴随着由其构成的变流装置的进步与发展。
6) power devices
电力电子器件
1.
The characteristics of power devices have great influence on performance of electric vehicle (EV).
电力电子器件的特性对电动汽车的性能有很大的影响。
2.
The current state-of-the-art and the future potential of SiC power devices such as power Schottky-barrier diodes, pn junction diodes, power MOSFETs, BJT, GTO, GCT, power modules and so on, are reviewed in the viewpoint of advanced power electronic technology.
综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景,指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力,还在于能大幅度降低器件的功率消耗,使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥;文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条