1) self heating chemical vapor infiltration
自加热化学气相渗积
1.
C f/SiC composites were fabricated by self heating chemical vapor infiltration, and their mechanical properties and microstructure were investigated.
利用自加热化学气相渗积法制备了连续碳纤维增强的碳化硅陶瓷基复合材料 ,分析研究了复合材料致密度和涂层厚度对复合材料力学性能的影响 ,同时运用 SEM对复合材料的微观结构进行了表征 。
2) thermal chemical vapor deposition(TCVD)
热化学气相沉积
3) thermal chemical vapor deposition
热化学气相淀积
1.
Using standard photolithography,patterned carbon nanotube line arrays were fabricated on silicon substrates by thermal chemical vapor deposition.
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。
4) rapidly chemical vapor infiltration
快速化学气相渗积法
5) chemical vapor deposition/infiltration
化学气相沉积/渗透
6) chemical vapor deposition and infiltration
化学气相渗透沉积
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条