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1)  Silicon substrate
硅衬底
1.
GaN/Si based devices are of great interest because the silicon substrate has superior properties, such as low-cost,high thermal conductivity,potential applications in the integration of the microelectronics and opto- electronics,mature technology in growth of Si single crystal with large diameter.
介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
2.
The dynamical process of CMP used in silicon substrate in ULSI is analyzed,and a new viewpoint is put forward.
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 。
3.
A simple method to synthesize single crystal silicon nanowires(SiNWs)on the iron-deposided silicon substrate by a catalytic(0.
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0。
2)  Si substrate
硅衬底
1.
The humidity sensor is fabricated with nanometer BaTiO3 film on Si substrate.
用硬脂酸盐法合成纳米钛酸钡材料,丝网印刷法将纳米钛酸钡涂在硅衬底上制成电阻式湿敏元件。
3)  Si(100) substrate
硅(100)衬底
4)  silicon thin film substrate
硅薄膜衬底
5)  Single crystalline Si (100) substrate
单晶硅衬底
6)  HR-Si substrate
高阻硅衬底
补充资料:衬经衬纬圆纬机
      用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小,具有机织物的特性,除适合做各种外衣外,还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上,有三组纱线:衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
  机器的针筒固定在台面上,三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出,通过分经盘(或导经片)由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度,形成圆锥面,便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧,与三角座一起回转,通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间,依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧,与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间,把成圈纱喂入针钩内编织成圈,形成平针组织,同时,使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱,圈柱从外侧包住衬纬纱,从而使三组纱线结合在一起,形成一种基本的衬经衬纬针织物。  衬经衬纬针织物用于外衣产品时,由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点,易于拱出,因此,需改变其组织结构。例如,通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈,并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外,适当加粗衬纬纱,也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
  

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参考词条