1) silicon sheets from powder
多晶硅带衬底
2) polycrystalline substrate
多晶衬底
4) Silicon Sheets from Powder(SSP)
多晶硅带
5) Si substrate
硅衬底
1.
The humidity sensor is fabricated with nanometer BaTiO3 film on Si substrate.
用硬脂酸盐法合成纳米钛酸钡材料,丝网印刷法将纳米钛酸钡涂在硅衬底上制成电阻式湿敏元件。
6) Silicon substrate
硅衬底
1.
GaN/Si based devices are of great interest because the silicon substrate has superior properties, such as low-cost,high thermal conductivity,potential applications in the integration of the microelectronics and opto- electronics,mature technology in growth of Si single crystal with large diameter.
介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
2.
The dynamical process of CMP used in silicon substrate in ULSI is analyzed,and a new viewpoint is put forward.
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 。
3.
A simple method to synthesize single crystal silicon nanowires(SiNWs)on the iron-deposided silicon substrate by a catalytic(0.
采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0。
补充资料：硅多晶的硅烷法制备
硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process
gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。 美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、 整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。 美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)
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参考词条