1) chemical vapor deposition without hydrogen
无氢化学气相沉积
2) chemical vapor deposition
化学气相沉积
1.
Study on PPy/UHMWPE fiber prepared by chemical vapor deposition;
化学气相沉积PPy/UHMWPE纤维的研究
2.
Preparation of In_2O_3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method;
单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线
3.
Dielectric properties of aluminum-doped silcion carbide using chemical vapor deposition;
化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性
3) chemical vapour deposition
化学气相沉积
1.
Preparation of tellurium films with spectral selectivity by chemical vapour deposition method;
化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜
2.
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition;
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
3.
A new glass coating technology to combine the method of ionic pervasion colouration with the technique of chemical vapour deposition was adapted.
将离子渗透着色技术(IPC)和化学气相沉积技术(CVD)加以结合,在浮法玻璃生产线的锡槽内和AO区进行2次镀膜形成复合膜,克服了单一镀膜技术存在的不足。
4) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
5) CLD modification
化学气相硅沉积
1.
SiO2-CLD modification for ZSM-5 acidity was investigated by pyrolysis gas chromatography-mass spectrometer (PGC-MS), Py-IR, NH3-TPD.
目前,各种改性方法已被用于提高ZSM-5的选择性,例如金属、非金属化合物的浸渍,化学气相硅沉积(SiO2-CVD)和预结焦处理等1。
6) CVD
化学气相沉积
1.
Growth of carbon nanotubes on SiO_2-particle substrates via CVD method;
利用化学气相沉积法在SiO_2小球基底上制备纳米碳管的研究(英文)
2.
Research Status on the Adhesion between Substrate and Diamond Film Deposited by CVD;
化学气相沉积金刚石薄膜刀具膜/基附着性能研究现状
3.
Study on CVD for Tungsten Coating and Capability of its Anti-ablation;
化学气相沉积钨涂层及抗烧蚀性能研究
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条