1) positive photoresist
正性抗蚀剂
1.
In the paper diazonaphthoquinone positive photoresist compositionfor LCD was studied.
文章是有关用于LCD的重氮萘醌系正性抗蚀剂的研究。
2) Positive photoresist
正性光致抗蚀剂
3) positive photoresist
正型抗蚀剂
4) electron-beam positive photoresist
电子束正性抗蚀剂
5) negative photoresist
负性抗蚀剂
1.
A new kind of chemically amplified negative photoresist without crosslinking agent was studied using this co-polymer as the base resin, which was developable in harmless NaOH-.
本文引入单体MAGME合成了具有自交联作用的MAGME、苯乙烯和N ( 4 羟基苯基 )马来酰亚胺的共聚物 ,并以该聚合物为基体树脂 ,研制了一种新型的水显影化学增幅型负性抗蚀剂 ,并初步研究了其光刻工艺条件 。
6) positive photoresist
正型光致抗蚀剂
1.
This paper focuses on the positive photoresist’s application performance influence that the graft matrix and 2,1,5-sulfonylchloride(2-azo-1-naphthoquinone-5-sulfonyl chloride)(NDQ),which are used for composing LCD positive photoresist sensitive resin(PAC).
本文研究了液晶显示器件(LCD)正型光致抗蚀剂用感光树脂(PAC)所需接枝母体和2,1,5-重氮萘醌磺酰氯(NDQ)对正型光致抗蚀剂应用性能的影响。
补充资料：X射线抗蚀剂
分子式：
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
CAS号：
性质：采用软X射线（波长0.4～5nm）作为曝光源的抗蚀剂。由于X射线波长较紫外波长短两个数量级，几乎没有衍射的干扰，而且因其能量比电子束小得多，可以获得高分辨率，X射线对尘埃的透过性好，曝光工艺的缺陷率就低。所有的电子束抗蚀剂均可作X射线抗蚀剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条