1) Electrical properties
电学特性
1.
Experiment study on electrical properties of poly-silicon nanofilms;
多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究
2.
Influence of Brownian motion on the electrical properties of a nanostructured magnetic fluid
布朗运动对纳米磁流体电学特性的影响
3.
Compared to the conventional mixed oxide technique, varistor ceramics made from sol-gel powders with a more homogeneous distribution of dopants, a regular microstructure and show improvement electrical properties.
用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备掺杂的ＺｎＯ纳米粉体分析讨论了这种粉体对材料显微结构，材料电学特性如非线性系数，压敏电压和介电特性的影响。
2) electrical property
电学特性
1.
The results showed effects of Al dopant ratio on electrical property.
通过对膜进行霍尔效应测量及SEM、XRD测试分析,研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的电学特性的影响。
3) electrical characteristics
电学特性
1.
Research progress of polymer/graphite nanocomposite materials and their electrical characteristics
聚合物/石墨纳米复合材料及其电学特性研究进展
2.
Results show that HfO 2 gate dielectric hold good electrical characteristics.
对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。
3.
The electrical characteristics of a kind of MOSFET including Silicon passivation layer and high k oxide layer were simulated by solving coupled Poisson-Schr(o|¨)dinger equations in a self-consistent way.
本论文利用自洽求解泊松-连续性方程理论模型,模拟了一种带有Si钝化层和高k氧化物层的金属-氧化层-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的电学特性。
4) electrical characteristic
电学特性
1.
Effect of substrate temperature on electrical characteristic of α-C:H films;
基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响
2.
The mechanical and electrical characteristics of Al(aluminum) nano-beams were presented in this paper.
对铝纳米梁进行了力学和电学特性测试。
3.
Furthermore, MIS structure is fabricated and tested by high-frequency C-V and quasi-static C-V measurement, in order to study how the electrical characteristics (the fixed charge density, interface state density and flatband voltage shift) of the MIS structure influenced by the composition of the SiOxNy film.
同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ（金属－绝缘层－半导体）结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性（界面态、固定电荷、平带电压漂移）的影响。
5) Electric property
电学特性
1.
By the models, I V equation in GB is improved and applied to explain GB electric property in the polysilicon.
将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布 ,利用这个模型 ,给出了改善的电流 -电压特性方程 ,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性 。
6) electrochemical performance
电化学特性
1.
Hydrous manganese dioxide (MnO_2·xH_2O) used as supercapacitors materials were synthesized by high temperature liquid-state oxidation, and its stricture and electrochemical performance were characterized by X-ray diffraction, cyclic voltammetry and chronopotentiomtry.
采用常温液相氧化法制备了MnO2超级电容器材料,并用X射线衍射(XRD)和循环伏安以及恒电流充放电测试等方法对所得的MnO2电极材料的结构和电化学特性进行了研究。
补充资料：Q值(电学)
Q值(电学)
Q (electricity)
Q值(电学)[Q(eleetrieity)] Q常称为电路的品质因数，按具体应用而有各种不同的定义。在简单的RL或RC串联电路中，Q等于电抗对电阻的比率: Q一XL/R，Q一Xc/R(Q为数值)，(1)这里X:为感抗，X。为容抗，R为电阻。当一个线圈或电容器的各常数已用交流电桥测定后，品质因数Q的一个重要应用就在于决定消耗系数或损耗角。 对于揩振电路，Q有更大的实用意义，其基本定义由下式给出:Q。一2二每周最大储能每周损耗能量，(2)式中Q。指在谐振时的Q值。对于某些电路，诸如空腔谐振器，这是Q所能具有的唯一意义。 对于具有谐振频率f。的RLC串联谐振电路，则有 Q。一2介j石L/R=1/2万foCR，(3)式中R为电路的总电阻，L为总电感，C为总电容。如果一个线圈实际上含有全部电阻R，则Q。便是该线圈的Q。Q。值越高，揩振峰越尖锐。 具有高Q。值的线圈与一电容器并联的实际情况也导致Q。一2汀关L/R这一结果。R是该回路的总串联电阻，尽管电容支路通常有可忽略的电阻。 按照揩振曲线，可有下式: Q。一f0/(九一fl)，(4)这里f0是谐振频率，而几和九则是在半功率点上的频率。参阅“共振(交流电路)”〔resonanee(alter-nating一current eireuits)]条。 仁罗伯逊(B.L.Robertson)撰〕
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条