1) interface electrical characteristic
界面电学特性
1.
The fabrication of HgCdTe MIS devices and the basic principle and steps for calculating and analyzing the interface electrical characteristics through their C-V curves are presented.
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤。
2) interface electrical characteristics
界面电学特性
1.
To solve the problem of surface passivation of HgCdTe,a new type of passivation film CdTe/ZnS and the relationship between its interface electrical characteristics and manufacture conditions were investigated The results reveal that the interface electrical properties depend on the surface pretreatment method strongly.
利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系。
3) interfacial mechanical characteristics
界面力学特性
1.
The interfacial mechanical characteristics in anchorage zone of grouted bolts;
砂浆锚杆锚固段的界面力学特性
5) interface properties
界面特性
1.
The influences of deposition temperature,RF power and NH3/SiH4 ratio on interface properties have been systematically discussed.
系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。
2.
The study of geosynthetics/soil interface properties can help us to clarify the mechanism of reinforcement of reinforced soils,and can provide design parameters for geosynthetics-reinforced earth structures.
土工合成材料加筋土界面特性的研究有利于弄清加筋土的加筋机理,同时为加筋土工程结构提供设计参数。
6) Interface Characteristics
界面特性
1.
The components,mechanical properties of the different components,and interface characteristics of PCBs were introduced.
介绍了电路板的组成、各种成分的力学性质、界面特性,进行了电路板冲击特性试验,探讨了其解离机理。
2.
Low energy argon ion-beam has been applied to bombard directly the backsurface of MOS capacitors, and the interface characteristics and electrical breakdown properties can be improved.
在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。
3.
The modification mechanism of inorganic powder filled thermoplastic and interface characteristics affecting factors such as interface stress,polarity of polymer resins,compatibility between inorganic powder and polymer resin and inorganic powder particle size are introduced.
介绍了无机粉体填充改性机理及影响界面特性的因素如界面应力、高分子树脂的极性、无机粉体与高分子树脂间的相容性、无机粉体粒径等。
补充资料：Q值(电学)
Q值(电学)
Q (electricity)
Q值(电学)[Q(eleetrieity)] Q常称为电路的品质因数，按具体应用而有各种不同的定义。在简单的RL或RC串联电路中，Q等于电抗对电阻的比率: Q一XL/R，Q一Xc/R(Q为数值)，(1)这里X:为感抗，X。为容抗，R为电阻。当一个线圈或电容器的各常数已用交流电桥测定后，品质因数Q的一个重要应用就在于决定消耗系数或损耗角。 对于揩振电路，Q有更大的实用意义，其基本定义由下式给出:Q。一2二每周最大储能每周损耗能量，(2)式中Q。指在谐振时的Q值。对于某些电路，诸如空腔谐振器，这是Q所能具有的唯一意义。 对于具有谐振频率f。的RLC串联谐振电路，则有 Q。一2介j石L/R=1/2万foCR，(3)式中R为电路的总电阻，L为总电感，C为总电容。如果一个线圈实际上含有全部电阻R，则Q。便是该线圈的Q。Q。值越高，揩振峰越尖锐。 具有高Q。值的线圈与一电容器并联的实际情况也导致Q。一2汀关L/R这一结果。R是该回路的总串联电阻，尽管电容支路通常有可忽略的电阻。 按照揩振曲线，可有下式: Q。一f0/(九一fl)，(4)这里f0是谐振频率，而几和九则是在半功率点上的频率。参阅“共振(交流电路)”〔resonanee(alter-nating一current eireuits)]条。 仁罗伯逊(B.L.Robertson)撰〕
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条