1) DC electrical performance
直流电学特性
2) DC current-voltage characteristics
直流电流-电压特性
3) DC characteristic
直流特性
1.
This article mainly take MAX1324 as an example, from aspect and DC characteristic, error source, temperature effect and AC characteristic, in detail discussed the ADC error to the system performance influence, and proposed the partial adjustments measure.
本文主要以MAX 1324为例,从直流特性、误差源、温度效应及交流特性等方面,详细讨论了ADC误差对系统性能的影响,并提出了部分校正措施。
2.
Th effect of ADC error on system performance is discussed from four aspect as following:DC characteristic,error source,temperature effects and AC characteristic,and some rectifying measurements are also put forword.
本文主要从直流特性、误差源、温度效应及交流特性等方面 ,详细讨论了ADC误差对系统性能的影响 ,并提出了部分校正措施。
4) DC characteristics
直流特性
1.
Study of DC characteristics models of SiGe HBT;
SiGe HBT直流特性模型研究
2.
Results show that,for DC characteristics,the added depletion layer induced by surface trap charge will cause saturation current decrease,output resistance increase,pinch-off voltage drift to right,and transconductance reduction,and for transient characteristics,slow change of the surface trap charge will result in the gate-lag phenomenon.
数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。
3.
DC characteristics of AlGaInP/GaAs DHBT are studied.
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异。
5) DC characterization
直流特性
1.
The HBT s DC characterization and its low frequency noise are measured and analyzed.
在对Si/SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺的研究基础上 ,研制成功低噪声Si/SiGe/SiHBT ,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性 ,为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/SiHBT的研究建立了基
补充资料：Q值(电学)
Q值(电学)
Q (electricity)
Q值(电学)[Q(eleetrieity)] Q常称为电路的品质因数，按具体应用而有各种不同的定义。在简单的RL或RC串联电路中，Q等于电抗对电阻的比率: Q一XL/R，Q一Xc/R(Q为数值)，(1)这里X:为感抗，X。为容抗，R为电阻。当一个线圈或电容器的各常数已用交流电桥测定后，品质因数Q的一个重要应用就在于决定消耗系数或损耗角。 对于揩振电路，Q有更大的实用意义，其基本定义由下式给出:Q。一2二每周最大储能每周损耗能量，(2)式中Q。指在谐振时的Q值。对于某些电路，诸如空腔谐振器，这是Q所能具有的唯一意义。 对于具有谐振频率f。的RLC串联谐振电路，则有 Q。一2介j石L/R=1/2万foCR，(3)式中R为电路的总电阻，L为总电感，C为总电容。如果一个线圈实际上含有全部电阻R，则Q。便是该线圈的Q。Q。值越高，揩振峰越尖锐。 具有高Q。值的线圈与一电容器并联的实际情况也导致Q。一2汀关L/R这一结果。R是该回路的总串联电阻，尽管电容支路通常有可忽略的电阻。 按照揩振曲线，可有下式: Q。一f0/(九一fl)，(4)这里f0是谐振频率，而几和九则是在半功率点上的频率。参阅“共振(交流电路)”〔resonanee(alter-nating一current eireuits)]条。 仁罗伯逊(B.L.Robertson)撰〕
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参考词条