1) selected area electron diffraction analysis
选区电子衍射分析
2) SAED
选区电子衍射(SAED)
3) SAED
选区电子衍射
1.
The structure and growth direction of the nanobelts were investigated by selected area electron diffraction(SAED) method, combined with bright field image.
利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成。
4) selected area electron diffraction image
选区电子衍射象
6) SADP
单晶选区电子衍射花样
补充资料:电子衍射分析
电子衍射分析
electron diffraction analysis
阵。X射线或电子束在晶体产生衍射往往用点阵平面反射这些射线束干涉增强来描述,一组点阵平面干涉加强对应一个衍射斑。点阵平面的三维周期性也反映在衍射斑构成的点阵中,称为倒易点阵。倒易点阵矢垂直于同名指数的晶体点阵平面,长度等于正空间点阵平面间距的倒数。电子衍射图与晶体衍射过程的几何关系见图。当波长为几的电子波以夕角掠射过晶体的(hkl)点┌─────┐│户\。_, ││只\、_洲产││户.碳岁.,│└─────┘ 电子衍射的几何构图说明阵平面时,可以把电子波想象为一个扩展在半径为1/几的球面上的反射球,口角符合布喇格衍射方程产生衍射的条件与倒易矢乱kI的端点落在半径为反射球面上的条件是等同的。即Zdsin口=几与K一K0=夙‘等价。这从几何关系冬}、}=}K}sin。很容易看出。即倒M“夕“’,/、月、2’0”三几’。111以‘卜叮叨目叫。”r曰易点hkl与反射球相截是晶体点阵平面产生衍射的充分而必要的条件。牛约为八劣的100倍,所以反射球面“hk王实际上非常接近平面,在电子衍射实验的角度范围内(约几度),可以说反射球贴着倒易点阵平面。因此从图可看出,电子衍射图是倒易点阵平面的放大象。用L几=Rd表示,式中L称相机长度,是样品到纪录电子衍射图底片的有效距离,可从实验测定;义是电子波长,取决于加速电压;R是衍射图中hkl斑点到透射斑的距离;d是产生衍射的晶体点阵平面hkl的面间距。如果倾转晶体纪录下不同的倒易平面,就可以构造被测晶体的三维倒易点阵,进而晶体点阵的平移对称性、点阵单胞尺寸都可以通过电子衍射图对倒易点阵的测定而确定。 选区衍射在电子显微镜的电子衍射实验中,用物镜象平面上的视场光阑限定感兴趣的区域进行衍射分析,相当于在样品上选择分析区域。通常可获得1月m左右的选区衍射。但由于物镜球差的存在,当象平面上的视场光阑过于细小时,限场以外的晶体产生的衍射束仍可能进入最终纪录的衍射图,产生了衍射与选区不对应问题。由球差引起的衍射束位移与a=20的兰次方有关(a为衍射束与透射束的夹角),即沙=Cs护,Cs是物镜的球差系数。如Cs=3 .3 mm,AI的444衍射束位移即达0.8召m。这时选区小于1月mZ的对应性就不好。已知Cs与波长几成反比,a与几成正比,所以占与几的平方成正比。所以提高电子波的加速电压,可减少选区的不对应程度,或可使用更小的选区光阑。选区电子衍射图基本上可分为环状与点状两类,分别对应多晶与单晶的衍射图。它们的标定与X射线衍射中的德拜相和劳厄相分析方法类似。
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参考词条